Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

ON FDMS86181 48HRS

100V N-channel MOSFET with a 44A current capacity in an 8-pin PQFN package with exposed pad for enhanced thermal performance

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Onsemi

Parte do fabricante #: FDMS86181

Ficha de dados: FDMS86181 Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: Power-56-8

Status RoHS:

Condição de estoque: 2184 peças, novo original

Tipo de Produto: Transistores

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $2,023 $2,023
10 $1,682 $16,820
30 $1,470 $44,100
100 $1,254 $125,400
500 $0,956 $478,000
1000 $0,915 $915,000

In Stock:2184 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para FDMS86181 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

FDMS86181 Descrição geral

This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

fdms86181

Características

  • Shielded Gate MOSFET Technology
  • Max rDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 44 A
  • Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 6 V, ID = 22 A
  • ADD
  • 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
  • Lowers switching noise/EMI
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS Compliant

Aplicativo

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case Power-56-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Id - Continuous Drain Current 124 A Rds On - Drain-Source Resistance 12 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Qg - Gate Charge 42 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 125 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDMS86181 Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 6 ns
Forward Transconductance - Min 116 S Height 1.1 mm
Length 6 mm Product Power MOSFETs
Product Type MOSFET Rise Time 9 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Type PowerTrench Typical Turn-Off Delay Time 25 ns
Typical Turn-On Delay Time 17 ns Width 5 mm
Unit Weight 0.003175 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The FDMS86181 chip is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high power applications. It features low on-resistance and low gate charge, making it suitable for use in various electronic devices such as power supplies, motor controllers, and automotive applications. The chip offers efficient power management capabilities with reduced power dissipation and improved amplifier performance.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FDMS86181 chip are the STW6N861, IPP60R190E6, and IPP65R190E6 power MOSFETs.
  • Features

    The FDMS86181 is a power MOSFET transistor that offers low on-resistance and high efficiency for various applications. It has a high current-carrying capacity and provides reliable operation in demanding conditions. Additionally, it is optimized for fast switching speeds and features low gate charge, making it suitable for power management and motor control applications.
  • Pinout

    The FDMS86181 is a power MOSFET with a pin count of 8. It is used for power management applications, such as voltage regulation or conversion. The specific function of each pin would depend on the particular configuration and application circuit.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FDMS86181 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that designs, manufactures, and distributes a wide range of semiconductor products for various industries, including automotive, consumer electronics, industrial, and telecommunications.
  • Application Field

    The FDMS86181 is a power MOSFET transistor that is commonly used in various applications such as power supplies, DC-DC converters, motor control, and lighting. It is used in high-power devices where efficient power management and control are required.
  • Package

    The FDMS86181 is a chip that comes in a Power 56 package type, with a form factor of SMD (Surface Mount Device). The package size is approximately 8.6 mm x 9.4 mm x 1 mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar FDMS86181 PDF Download

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...

  • NTTFS008P03P8Z

    NTTFS008P03P8Z

    ON Semiconductor, LLC

    P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W ...

  • NTTFS4C02NTAG

    NTTFS4C02NTAG

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 30 V 170A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount 8-...