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ON FDG1024NZ
These MOSFETs offer efficient power handling capabilities with a compact SC-88-6 package design, making them ideal for space-constrained PCB layouts
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDG1024NZ
Ficha de dados: FDG1024NZ Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOT-323-6
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2388 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFDG1024NZ Descrição geral
This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Características
- Max rDS(on) = 175 mO at VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A
- Max rDS(on) = 215 mO at VGS = 2.5 V, ID = 1.0 A
- Max rDS(on) = 270 mO at VGS = 1.8 V, ID = 0.9 A
- Max rDS(on) = 389 mO at VGS = 1.5 V, ID = 0.8 A
- HBM ESD protection level >2 kV (Note 3)
- Very low level gate drive requirements allowing operation in 1.5 V circuits (VGS(th) < 1 V)
- Very small package outline SC70-6
- RoHS Compliant
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 1.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 321 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Qg - Gate Charge | 2.6 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDG1024NZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Forward Transconductance - Min | 4 S |
| Height | 1.1 mm | Length | 2 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Type | Power Trench MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns | Typical Turn-On Delay Time | 3.7 ns |
| Width | 1.25 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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FDG1024NZ is a chip used for fingerprint recognition and authentication. It offers a high level of security and accuracy, making it suitable for various applications, including mobile devices, access control systems, and financial transactions. The chip utilizes advanced technology to capture and process fingerprint data, providing quick and reliable identification.
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Features
The FDG1024NZ is a compact, high-performance frequency synthesizer IC. It has a wide frequency range, low phase noise, and low power consumption. It supports both phase-locked loop (PLL) and direct digital synthesis (DDS) modes of operation. The IC also offers built-in frequency sweep and automatic power control features for enhanced functionality. -
Pinout
The FDG1024NZ is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Its functions include acting as a switch or amplifier for low voltage applications, offering low on-resistance, and supporting high current handling capabilities. -
Application Field
The FDG1024NZ is a field-effect transistor designed for use in high-frequency applications such as telecommunication systems, radar, and imaging devices. It can also be used in low-noise amplifiers, mixers, and oscillators. Its compact size and high gain make it suitable for various wireless communication and signal processing applications. -
Package
The FDG1024NZ chip is available in a small and compact surface mount package type known as FlipChip. Its size is typically 1.6mm x 1.6mm, making it suitable for applications that require a miniature footprint and high density.
Ficha de dados PDF
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