ON FDC645N
FDC645N, an N-channel MOSFET from ON Semiconductor, boasts a 5.5 A current capacity and a 30 V voltage rating, packaged in a 6-pin SSOT form factor
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDC645N
Ficha de dados: FDC645N Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SSOT-6
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3407 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFDC645N Descrição geral
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Características
- 5.5 A, 30 V.
- RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(on) = 26 mΩ @ VGS = 10 V
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
- Low gate charge (13 nC typical)
- High power and current handling capability
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SSOT-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 5.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
Qg - Gate Charge | 21 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDC645N | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
Forward Transconductance - Min | 33 S | Height | 1.1 mm |
Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
Width | 1.6 mm | Part # Aliases | FDC645N_NL |
Unit Weight | 0.001270 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. | |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. | |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDC645N chip is a power MOSFET specifically designed for load switching applications in portable devices and battery-powered systems. It offers low on-resistance, high current capability, and low gate charge. The chip provides efficient power management and helps enhance the overall performance and runtime of battery-powered devices.
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Equivalent
The equivalent products of FDC645N chip are FDV303N, IRLML2502, IRF9910, SI2304, BSS847, BST847, AO4813A, and FDS4848. -
Features
FDC645N is a small signal and low Vth N-channel MOSFET. It has a low on-resistance, making it suitable for high-frequency applications. It operates at a voltage range of -20V to 12V, and has a maximum continuous drain current of 2.4A. It is designed for low-power and low-voltage applications. -
Pinout
The FDC645N is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 6. It is commonly used for power applications. -
Manufacturer
The FDC645N is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is an American semiconductor company. It specializes in the design, development, and manufacturing of a wide range of electronic components and solutions for various industries. -
Application Field
The FDC645N is a high-performance N-channel MOSFET transistor primarily used in power management applications. It can be applied in various areas such as DC-DC converters, motor control, electronic load switches, battery chargers, and other power management circuits requiring low RDS(ON) and fast switching. -
Package
The FDC645N chip comes in a small, surface-mount package type called SOT-23, which has three pins. It measures approximately 3.0 mm x 1.3 mm x 0.95 mm (LxWxH).
Ficha de dados PDF
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