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ON FDC637BNZ
SO N-Channel MOSFET transistor
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDC637BNZ
Ficha de dados: FDC637BNZ Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SSOT-6
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3212 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFDC637BNZ Descrição geral
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.
Características
- Max rDS(on) = 24mΩ at VGS = 4.5V, ID = 6.2A
- Max rDS(on) = 32mΩ at VGS = 2.5V, ID = 5.2A
- Fast switching speed
- Low gate charge (8nC typical)
- High performance trench technology for extremely low rDS(on)
- SuperSOT™¨C6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8; low profile (1mm thick)
- HBM ESD protection level > 2kV typical (Note 3)
- Manufactured using green packaging material
- Halide-Free
- RoHS Compliant
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Qg - Gate Charge | 12 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDC637BNZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 6 ns |
| Height | 1.1 mm | Length | 2.9 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 6 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Width | 1.6 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDC637BNZ is a chip used for capacitive touch sensing applications. It includes eight independent capacitive sensor inputs, each with programmable sensitivity and independent detection threshold settings. The chip can detect human touch through various materials like glass or plastic and is commonly used in proximity sensing, touchscreens, and touch buttons. It offers a compact and efficient solution for implementing touch-sensitive interfaces in various electronic devices.
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Features
The FDC637BNZ is a high-speed transistorized voltage follower with high input impedance and low output impedance. It has a gain bandwidth product of 5 GHz and is designed for use in high-frequency applications. The device is housed in a small SOT-23 package and operates over a wide temperature range. -
Pinout
The FDC637BNZ is a 6-pin single N-Channel Logic-Level PowerTrench® MOSFET. Its pin count is 6, and its function is to act as an N-Channel enhancement mode field-effect transistor for power switching applications. -
Manufacturer
The FDC637BNZ is manufactured by Fairchild Semiconductor. It is an American semiconductor company that designs, manufactures, and supplies power, analog, and mixed-signal integrated circuits for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The FDC637BNZ is a high-side current sense amplifier with adjustable gain and high accuracy. It is commonly used in applications such as electric motor control, power management, battery monitoring, and current sensing in automotive systems. -
Package
The FDC637BNZ chip is housed in a SOT-23 package, has a single form, and its size is compact due to the small size of the SOT-23 package.
Ficha de dados PDF
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