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ON FDC637AN
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Marcas: ON
Parte do fabricante #: FDC637AN
Ficha de dados: FDC637AN Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT23-6
Status RoHS:
Condição de estoque: 4250 peças, novo original
Tipo de Produto: MOSFET
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,153 | $0,153 |
| 10 | $0,124 | $1,240 |
| 30 | $0,112 | $3,360 |
| 100 | $0,096 | $9,600 |
| 500 | $0,089 | $44,500 |
| 1000 | $0,081 | $81,000 |
In Stock:4250 PCS
FDC637AN Descrição geral
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.
Características
- 6.2 A, 20 V
RDS(on) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V
RDS(on) = 0.032 Ω @ VGS = 2.5 V - Fast switching speed.
- Low gate charge (10.5nC typical).
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) .
- SuperSOT™ -6 package: small footprint (72% smallerthan standard SO-8); low profile (1mm thick).
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Qg - Gate Charge | 16 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDC637AN | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7.4 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 13 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns | Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | FDC637AN_NL |
| Unit Weight | 0.001270 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The FDC637AN chip is a specially designed component for capacitive sensing applications. It offers high sensitivity and accuracy in detecting touch and proximity events. The chip utilizes advanced signal processing techniques to provide reliable touch detection in various environments. With low power consumption and compact size, it is suitable for integration into a wide range of devices, including smartphones, tablets, and home appliances.
-
Equivalent
The equivalent products of FDC637AN chip are FDC637BN, FDC637KN, FDC637MN, FDC637VN, and FDC637TN chips. -
Features
The FDC637AN is a power management IC that features integrated drivers for controlling an external N-Channel MOSFET. It offers protection against overcurrent, overvoltage, undervoltage, and overtemperature conditions. It is designed for use in applications such as load switches, power supplies, and battery management systems, providing efficient and reliable power management capabilities. -
Pinout
The FDC637AN is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate control, drain terminals, and source terminals for both channels. More specifically, Pin 1 is the gate control for Channel 1, and Pin 8 is the gate control for Channel 2. -
Manufacturer
The FDC637AN is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is a globally recognized semiconductor company. -
Application Field
The FDC637AN is a linear Hall effect sensor that can be used in various applications such as automotive systems (position sensing, throttle control), industrial automation (position sensing, motor control), and consumer electronics (smartphone compass, gaming controllers). -
Package
The FDC637AN chip has a package type of DIP (Dual In-line Package), a form factor of through-hole, and a standard size as per DIP-8 specifications.
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