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ON FDB070AN06A0
Power transistor, capable of handling high current
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDB070AN06A0
Ficha de dados: FDB070AN06A0 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: D2PAK-3 (TO-263-3)
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2615 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFDB070AN06A0 Descrição geral
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mΩ, The latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
Características
- RDS(on) = 6.1mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A
- QG(tot) = 51nC (Typ.) @ VGS = 10V
- Low Miller Charge
- Low Qrr Body Diode
- UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Aplicativo
- AC-DC Merchant Power Supply
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- Other Data Processing
- Other Industrial
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.1 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 66 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 175 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | PowerTrench | Series | FDB070AN06A0 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 35 ns | Height | 4.83 mm |
| Length | 10.67 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 159 ns | Factory Pack Quantity | 800 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns | Width | 9.65 mm |
| Part # Aliases | FDB070AN06A0_NL |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDB070AN06A0 chip, manufactured by Fairchild Semiconductor, is a power MOSFET transistor designed specifically for use in automotive applications. It features a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current capability of 70A. The chip also incorporates advanced trench technology, providing low on-state resistance and high switching performance.
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Features
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET module that features a low on-resistance of 7.4mΩ, allowing for efficient power management and reduced power dissipation. It also has a high current rating of 70A, making it suitable for a variety of applications requiring high power handling. -
Pinout
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET transistor with a pin count of 3. The functions of its three pins are typically Gate, Drain, and Source. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDB070AN06A0 is Infineon Technologies. It is a German multinational semiconductor company that specializes in the manufacturing and distribution of various semiconductor products, including power management ICs, microcontrollers, sensors, and automotive electronics, among others. -
Application Field
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET transistor designed for use in high-speed, high-frequency applications such as switch-mode power supplies, motor control, and lighting controllers. It can also be used in audio amplifiers and other high-performance electronic devices due to its low on-resistance and high voltage capability. -
Package
The FDB070AN06A0 chip is a power MOSFET device with a TO-263 package type, which is also known as D2PAK or I2PAK. It has a form of a rectangular plastic package with three leads and a size of approximately 10.3mm x 9.6mm x 4mm.
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