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BSS123W
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 0.17A, 6Ω
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: ON SEMICONDUCTOR
Parte do fabricante #: BSS123W
Ficha de dados: BSS123W Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-323
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.444 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
20 | $0,022 | $0,440 |
200 | $0,018 | $3,600 |
600 | $0,016 | $9,600 |
3000 | $0,013 | $39,000 |
9000 | $0,012 | $108,000 |
21000 | $0,011 | $231,000 |
Em estoque: 9.444 PCS
BSS123W Descrição geral
This N-channel enhancement mode MOSFET is produced using high cell density, trench MOSFET technology. This product minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, logic level transistor, high speed line drivers, power management/power supply and switching applications.
Características
- High-Speed, Low-Power Operation
- Fast Switching Time & RDS(ON)
- Efficient Thermal Dissipation
- Precision Temperature Compensation
- Rapid Charge/Discharge Capability
- Ultra-Low Saturation Current
Aplicativo
- Audio Equalizer ICs
- DC Motor Controllers
- Switching Power Supplies
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Source Content uid | BSS123W | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | End Of Life | Ihs Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR |
Package Description | SC-70, 3 PIN | Manufacturer Package Code | 419AB |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.21.00.95 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (ID) | 0.17 A | Drain-source On Resistance-Max | 6 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 2.74 pF |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 0.2 W |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2 W | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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