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BSM100GB120DN2K
Advanced power control: BSM100GB120DN2K is designed for demanding applications with its 12kV rating and 100A current capacity
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: BSM100GB120DN2K
Ficha de dados: BSM100GB120DN2K Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: Half Bridge1
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.569 peças, novo original
Tipo de Produto: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $245,935 | $245,935 |
| 200 | $95,174 | $19034,800 |
| 500 | $91,830 | $45915,000 |
| 1000 | $90,176 | $90176,000 |
Em estoque: 5.569 PCS
BSM100GB120DN2K Descrição geral
Infineon Technologies' BSM100GB120DN2K power module is an essential component for industrial applications requiring high power capabilities. Featuring a 1200V, 100A dual-channel IGBT module with an integrated driver stage, this module is designed to offer a compact and efficient solution. Its compact and robust design, along with low thermal resistance, ensures improved heat dissipation, while its advanced power semiconductor technology allows for high switching frequencies and low losses, resulting in high efficiency and reliability. The module also offers a variety of protection features, including short circuit and over-temperature protection, as well as a built-in temperature sensor for efficient thermal management
Características
- Advanced Gate Driver Technology
- EMI Filter Design for Low Noise
- Suitable for Railway and Marine Use
Aplicativo
- Renewable energy systems
- Electric vehicles
- Industrial motor drives
- Pulse power applications
- UPS and energy storage systems
- Power supplies
- Welding equipment
- Induction heating systems
- Medical equipment
- Grid-tied inverters
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | N |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Half Bridge |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 145 A | Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA |
| Pd - Power Dissipation | 700 W | Package / Case | Half Bridge1 |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | Infineon Technologies | Height | 30.5 mm |
| Length | 94 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si | Width | 34 mm |
| Part # Aliases | SP000101733 BSM100GB120DN2KHOSA1 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BSM100GB120DN2K is a power module designed for high-power industrial applications. It features a high current rating of 100A and a voltage rating of 1200V, making it suitable for driving large motors and machinery. The module has built-in protection features for overcurrent and overvoltage conditions, ensuring safe and reliable operation.
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Equivalent
The equivalent products of the BSM100GB120DN2K chip are Infineon FF100R12KS4, Semikron SKM100GB123D, and IXYS IXFN100N65. These chips are also high-power IGBT modules with similar specifications and features, making them suitable replacements for the BSM100GB120DN2K. -
Features
1. BSM100GB120DN2K is an IGBT power module. 2. It has a collector-emitter voltage of 1200V. 3. It has a current rating of 100A. 4. Includes a temperature monitoring sensor. 5. Features high reliability and efficiency for power electronics applications. -
Pinout
The BSM100GB120DN2K is an IGBT module with a pin count of 7. It is used in power electronic applications for motor control and power supplies. The functions of the pins are gate emitter, collector emitter, gate source, collector emitter, emitter, collector emitter, and collector emitter. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSM100GB120DN2K. It is a leading German semiconductor company specializing in manufacturing power semiconductors and other electronic components for automotive, industrial, and renewable energy applications. -
Application Field
The BSM100GB120DN2K is commonly used in applications such as motor drives, renewable energy systems, industrial automation, and power supplies. Its high efficiency, high current capability, and robust design make it ideal for high-power applications where reliability and performance are crucial. -
Package
The BSM100GB120DN2K chip is a module package type with a standard form factor of module. It has a size of approximately 180mm x 140mm x 40mm, and a weight of 2.5 lbs (1.13 kg).
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