Infineon BSC021N08NS5
MOSFET TRENCH 40<-<100V
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: BSC021N08NS5
Ficha de dados: BSC021N08NS5 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SuperSO8 5x6
Status RoHS:
Condição de estoque: 3789 peças, novo original
Tipo de Produto: Power Field-Effect Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $4,452 | $4,452 |
10 | $3,909 | $39,090 |
30 | $3,586 | $107,580 |
100 | $3,260 | $326,000 |
500 | $3,108 | $1554,000 |
1000 | $3,041 | $3041,000 |
In Stock:3789 PCS
BSC021N08NS5 Descrição geral
Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | , |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 679 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 80 V | Drain Current-Max (ID) | 226 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0021 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 82 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 214 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 904 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. | |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. | |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
-
Etapa1 :produtos
-
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
Etapa3 :Saco antiestático
-
Etapa4 :Embalagem individual
-
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The BSC021N08NS5 is a power MOSFET that is commonly used in various electronic devices to regulate power distribution. It offers low on-resistance and high current carrying capability, making it ideal for applications requiring efficient power management. Its compact size and high-performance characteristics make it a popular choice among designers for a wide range of products.
-
Equivalent
The equivalent products of BSC021N08NS5 chip are Infineon IPP021N08N5 G MOSFET, ON Semiconductor FDP021N08B N-Channel MOSFET, and Fairchild FDP021N08N3 N-Channel PowerTrench MOSFET. These MOSFETs have similar specifications and can be used as alternatives to the BSC021N08NS5 chip. -
Features
BSC021N08NS5 is a N-channel, 80V, 21A MOSFET with low Rds(on) of 8mΩ. It is suitable for high power applications with high efficiency and fast switching performance. This MOSFET also offers low gate charge and avalanche ruggedness for reliable operation in demanding environments. -
Pinout
The BSC021N08NS5 is a 8-pin dual N-channel power MOSFET with high current capability and low Rds(on). It is commonly used in power management applications such as battery charging, motor control, and power supplies. The pin functions include gate (G), source (S1, S2), and drain (D1, D2) for each channel. -
Manufacturer
The BSC021N08NS5 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a global leader in the development and production of power semiconductors, sensors, and security solutions for a variety of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC021N08NS5 is a power MOSFET suitable for various applications such as industrial power supplies, motor controls, and DC-DC converters. It can also be used in automotive systems, telecommunications equipment, and general purpose power switching applications where high efficiency and low power dissipation are required. -
Package
BSC021N08NS5 chip is packaged in a TO-263 form with a size of 10.3mm x 12mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
-
Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
-
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
-
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
-
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos