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Infineon BSC021N08NS5 48HRS

MOSFET TRENCH 40<-<100V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon Technologies Corporation

Parte do fabricante #: BSC021N08NS5

Ficha de dados: BSC021N08NS5 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SuperSO8 5x6

Status RoHS:

Condição de estoque: 3789 peças, novo original

Tipo de Produto: Power Field-Effect Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $4,452 $4,452
10 $3,909 $39,090
30 $3,586 $107,580
100 $3,260 $326,000
500 $3,108 $1554,000
1000 $3,041 $3041,000

In Stock:3789 PCS

- +

Rápida citação

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BSC021N08NS5 Descrição geral

Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG Package Description ,
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer Infineon Avalanche Energy Rating (Eas) 679 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 80 V Drain Current-Max (ID) 226 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0021 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 82 pF JESD-30 Code R-PDSO-N8
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 214 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 904 A Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The BSC021N08NS5 is a power MOSFET that is commonly used in various electronic devices to regulate power distribution. It offers low on-resistance and high current carrying capability, making it ideal for applications requiring efficient power management. Its compact size and high-performance characteristics make it a popular choice among designers for a wide range of products.
  • Equivalent

    The equivalent products of BSC021N08NS5 chip are Infineon IPP021N08N5 G MOSFET, ON Semiconductor FDP021N08B N-Channel MOSFET, and Fairchild FDP021N08N3 N-Channel PowerTrench MOSFET. These MOSFETs have similar specifications and can be used as alternatives to the BSC021N08NS5 chip.
  • Features

    BSC021N08NS5 is a N-channel, 80V, 21A MOSFET with low Rds(on) of 8mΩ. It is suitable for high power applications with high efficiency and fast switching performance. This MOSFET also offers low gate charge and avalanche ruggedness for reliable operation in demanding environments.
  • Pinout

    The BSC021N08NS5 is a 8-pin dual N-channel power MOSFET with high current capability and low Rds(on). It is commonly used in power management applications such as battery charging, motor control, and power supplies. The pin functions include gate (G), source (S1, S2), and drain (D1, D2) for each channel.
  • Manufacturer

    The BSC021N08NS5 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a global leader in the development and production of power semiconductors, sensors, and security solutions for a variety of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The BSC021N08NS5 is a power MOSFET suitable for various applications such as industrial power supplies, motor controls, and DC-DC converters. It can also be used in automotive systems, telecommunications equipment, and general purpose power switching applications where high efficiency and low power dissipation are required.
  • Package

    BSC021N08NS5 chip is packaged in a TO-263 form with a size of 10.3mm x 12mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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