Infineon BSM75GD120DN2
IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 103 A 520 W Chassis Mount Module
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: BSM75GD120DN2
Ficha de dados: BSM75GD120DN2 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: EconoPACK 3A
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2827 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaBSM75GD120DN2 Descrição geral
IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 103 A 520 W Chassis Mount Module
Características
- IXYS IXGH75N120B3H1
- Fuji 2MBI75N-120
- Semikron SKM75GB120DN
- Toshiba MG75Q2YS40
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Full Bridge |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 103 A | Gate-Emitter Leakage Current | 320 nA |
Pd - Power Dissipation | 520 W | Package / Case | EconoPACK 3A |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Brand | Infineon Technologies | Height | 17 mm |
Length | 122 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
Technology | Si | Width | 62 mm |
Part # Aliases | SP000100364 BSM75GD120DN2BOSA1 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Part points
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The BSM75GD120DN2 is a high power N-channel IGBT designed for use in high voltage applications. It features a blocking voltage of 1200V, a continuous collector current of 75A, and a low on-state voltage drop. This chip is commonly used in industrial motor drives, renewable energy systems, and power supplies.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSM75GD120DN2 chip include the SKM75GB128DM, FF75R12RT4, and GT75QR21. These chips are all high-power IGBT modules designed for use in various power electronic applications, such as energy conversion, motor drives, and industrial automation. -
Features
Some features of the BSM75GD120DN2 include a high current rating of 75A, a voltage rating of 1200V, high switching frequency capability, low on-state voltage drop, and a compact and efficient design suitable for various industrial applications. -
Pinout
The BSM75GD120DN2 is a dual, 75A, 1200V IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are: Pin 1: Collector 1 Pin 2: Emitter 1 Pin 3: Gate 1 Pin 4: Gate 2 Pin 5: Emitter 2 Pin 6: Collector 2 Pin 7: Baseplate -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSM75GD120DN2. They are a German semiconductor manufacturing company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon serves industries such as automotive, industrial, and consumer electronics with innovative and reliable semiconductor solutions. -
Application Field
The BSM75GD120DN2 is commonly used in industrial applications such as power converters, motor drives, and renewable energy systems. Its high power density and efficiency make it suitable for high-performance and demanding environments where reliability and robustness are essential. -
Package
The BSM75GD120DN2 chip is in a module package type with a form of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module and a size of 75A and 1200V.
Ficha de dados PDF
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