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Infineon BSM75GD120DN2

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 103 A 520 W Chassis Mount Module

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: BSM75GD120DN2

Ficha de dados: BSM75GD120DN2 Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: EconoPACK 3A

Tipo de Produto: Transistores

Status RoHS:

Condição de estoque: 2827 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSM75GD120DN2 Descrição geral

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 103 A 520 W Chassis Mount Module

bsm75gd120dn2

Características

  • IXYS IXGH75N120B3H1
  • Fuji 2MBI75N-120
  • Semikron SKM75GB120DN
  • Toshiba MG75Q2YS40
bsm75gd120dn2
bsm75gd120dn2

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Full Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 103 A Gate-Emitter Leakage Current 320 nA
Pd - Power Dissipation 520 W Package / Case EconoPACK 3A
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Height 17 mm
Length 122 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 62 mm
Part # Aliases SP000100364 BSM75GD120DN2BOSA1

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The BSM75GD120DN2 is a high power N-channel IGBT designed for use in high voltage applications. It features a blocking voltage of 1200V, a continuous collector current of 75A, and a low on-state voltage drop. This chip is commonly used in industrial motor drives, renewable energy systems, and power supplies.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the BSM75GD120DN2 chip include the SKM75GB128DM, FF75R12RT4, and GT75QR21. These chips are all high-power IGBT modules designed for use in various power electronic applications, such as energy conversion, motor drives, and industrial automation.
  • Features

    Some features of the BSM75GD120DN2 include a high current rating of 75A, a voltage rating of 1200V, high switching frequency capability, low on-state voltage drop, and a compact and efficient design suitable for various industrial applications.
  • Pinout

    The BSM75GD120DN2 is a dual, 75A, 1200V IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are: Pin 1: Collector 1 Pin 2: Emitter 1 Pin 3: Gate 1 Pin 4: Gate 2 Pin 5: Emitter 2 Pin 6: Collector 2 Pin 7: Baseplate
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSM75GD120DN2. They are a German semiconductor manufacturing company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon serves industries such as automotive, industrial, and consumer electronics with innovative and reliable semiconductor solutions.
  • Application Field

    The BSM75GD120DN2 is commonly used in industrial applications such as power converters, motor drives, and renewable energy systems. Its high power density and efficiency make it suitable for high-performance and demanding environments where reliability and robustness are essential.
  • Package

    The BSM75GD120DN2 chip is in a module package type with a form of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module and a size of 75A and 1200V.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar BSM75GD120DN2 PDF Download

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