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Pedidos acima de
$5000vishay SI2318CDS-T1-GE3
SOT-23-3 Packaged N-Channel MOSFET with 40 Volts Drain-to-Source Voltage and 0.042 Ohms On-Resistance
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SI2318CDS-T1-GE3
Ficha de dados: SI2318CDS-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2318CDS-T1-GE3 Descrição geral
The SI2318CDS-T1-GE3 is a top-notch P-channel MOSFET transistor perfect for a wide range of applications. With a robust maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -4.3A, this transistor is ideal for power management tasks requiring high-speed switching capabilities. Its ultra-low on-resistance of 53mΩ at a VGS of -4.5V significantly reduces power losses, enhancing overall efficiency in switching circuits. Moreover, the SI2318CDS-T1-GE3 boasts a minimal gate charge of 10nC, facilitating quick switching speeds for optimized performance
Características
- Durable construction
- Low power consumption
- Long lifespan reliability
- Easy installation
Aplicativo
- Power control applications
- Voltage regulation circuit
- Compact power management
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 42 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 2.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 20 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | Part # Aliases | SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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SI2318CDS-T1-GE3 is a power MOSFET chip manufactured by Vishay. It is designed for use in low voltage applications, with a breakdown voltage of 20V. This chip has a small package size, making it suitable for space-constrained designs. It offers low on-resistance and high thermal performance, enabling efficient power handling. Overall, SI2318CDS-T1-GE3 is a reliable and efficient option for various low voltage applications.
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Equivalent
Equivalent products to the SI2318CDS-T1-GE3 chip include SI2318CDS-T1-E3, SI2319CDS-T1-GE3, and SI2319CDS-T1-E3. -
Features
The features of SI2318CDS-T1-GE3 include a voltage rating of 20V, a continuous drain current of 2.1A, low on-resistance of 55mΩ, and a gate threshold voltage of 1V to 2.5V. It also has a compact SOT-23 package and is suitable for use in various applications such as load switching and power management. -
Pinout
The SI2318CDS-T1-GE3 is a 3-pin MOSFET transistor. It has a pin count of 3, with a gate, drain, and source pin. The function of this transistor is to control and amplify electrical signals within a circuit. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2318CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that produces a wide range of power MOSFETs, diodes, and optoelectronic components for various industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The SI2318CDS-T1-GE3 is a small signal MOSFET transistor that can be used in various applications such as low voltage switching, audio amplification, and power management circuits. -
Package
The SI2318CDS-T1-GE3 chip from Vishay Siliconix has a package type of SOT-23, a form of Surface Mount, and has a size of 2.9mm x 1.3mm.
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