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Infineon BSC047N08NS3G 48HRS

8A current capacity

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: BSC047N08NS3G

Ficha de dados: BSC047N08NS3G Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: SuperSO8 5x6

Status RoHS:

Condição de estoque: 3195 peças, novo original

Tipo de Produto: Transistores

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $1,854 $1,854
10 $1,610 $16,100
30 $1,458 $43,740
100 $1,206 $120,600
500 $1,135 $567,500
1000 $1,105 $1105,000

In Stock:3195 PCS

- +

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BSC047N08NS3G Descrição geral

The BSC047N08NS3 G is a N-channel power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. It is designed for use in a wide range of applications, including DC-DC converters, motor control, and power supplies. This MOSFET features a maximum continuous drain current of 47A and a maximum drain-source voltage of 80V. It has a low on-state resistance of 8mΩ, which helps to reduce power losses and improve efficiency in high-current applications. The BSC047N08NS3 G also has a gate threshold voltage of 2.5V and a gate charge of 58nC, making it easy to drive with standard digital logic circuits. It has a low input capacitance of 2850pF and a fast switching speed, which allows for efficient operation at high frequencies.This MOSFET is housed in a TO-263 package, which provides excellent thermal performance and reliable operation in demanding environments. It is also RoHS compliant, making it suitable for use in environmentally sensitive applications.

bsc047n08ns3g

Características

  • The BSC047N08NS3 G is a MOSFET transistor designed for high efficiency power switching applications
  • It features a low on-resistance of 4
  • 7 mΩ, a gate charge of 57 nC, and a maximum drain-source voltage of 80V
  • The device also has a rugged Silicon Carbide (SiC) structure, allowing for reliable performance in harsh environments
  • bsc047n08ns3g

    Aplicativo

  • The BSC047N08NS3 G is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as automotive powertrain, power supply systems, motor control, and industrial automation
  • It is ideal for high current switching applications due to its low on-resistance and high efficiency
  • It is also suitable for use in battery management systems and renewable energy systems
  • Especificações

    Parâmetro Valor Parâmetro Valor
    IDpuls max 400.0 A Ptot max 125.0 W
    VDS max 80.0 V Polarity N
    RDS (on) max 4.7 mΩ Package SuperSO8 5x6
    ID max 100.0 A VGS(th) max 3.5 V
    VGS(th) min 2.0 V Operating Temperature max 150.0 °C
    Operating Temperature min -55.0 °C

    Envio

    Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

    Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

    Pagamento

    Termos de pagamento Taxa de mão
    Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
    PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
    Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
    Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
    Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

    Garantias

    1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

    2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

    Embalagem

    • produtos

      Etapa1 :produtos

    • Embalagem a vácuo

      Etapa2 :Embalagem a vácuo

    • Saco antiestático

      Etapa3 :Saco antiestático

    • Embalagem individual

      Etapa4 :Embalagem individual

    • Caixas de embalagem

      Etapa5 :Caixas de embalagem

    • etiqueta de envio com código de barras

      Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

    Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

    Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

    Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

    Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

    • ESD
    • ESD

    Peças Equivalentes

    Para o BSC047N08NS3G componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:

    Número da peça

    Marcas

    Pacote

    Descrição

    Número da peça :   IRFP4768PBF

    Marcas :  

    Pacote :   TO-247AC

    Descrição :   250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package

    Número da peça :   STP110N8F7

    Marcas :  

    Pacote :   TO-220

    Descrição :  

    Número da peça :   FDB047N08

    Marcas :  

    Pacote :  

    Descrição :   by Fairchild Semiconductor

    Número da peça :   SIHG47N60E-E3

    Marcas :   Vishay

    Pacote :  

    Descrição :  

    Número da peça :   IPP047N08N3

    Marcas :  

    Pacote :  

    Descrição :   G by Infineon Technologies

    Part points

    • The BSC047N08NS3G is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for use in high-power applications. It features low ON-resistance, high current rating, and fast switching speeds, making it ideal for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.
    • Equivalent

      Some equivalent products of BSC047N08NS3G chip are Infineon IPP047N08N5, Vishay SIHP47N08E-GE3, and Fairchild FCP47N08. These chips are all similar in specifications and can be used as alternatives in various applications.
    • Features

      1. N-channel 80V power MOSFET 2. Low on-resistance (4.7mΩ) 3. High current handling capability (90A) 4. Excellent thermal performance 5. Low gate charge for fast switching 6. Avalanche energy rated 7. Suitable for high power applications in automotive, industrial, and consumer electronics.
    • Pinout

      The BSC047N08NS3G is a 80V, 47A N-channel Power MOSFET with a D2PAK package. It has a pin count of 3 with the following functions: Pin 1 (Gate), Pin 2 (Source), and Pin 3 (Drain).
    • Manufacturer

      The BSC047N08NS3G is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company that specializes in power electronics, security solutions, and digital security technology. They provide semiconductor solutions for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
    • Application Field

      The BSC047N08NS3G is a power MOSFET transistor used in various applications such as motor control, power supplies, and automotive systems. It is commonly found in electric vehicles, industrial machinery, and other high-power electronic devices that require efficient and reliable switching capabilities.
    • Package

      The BSC047N08NS3G chip comes in a TO-252 package type with a surface-mount form. Its size measures 6.65mm x 6.15mm x 1.55mm.

    Ficha de dados PDF

    Especificação Preliminar BSC047N08NS3G PDF Download

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      Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

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