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Pedidos acima de
$5000UF3C120040K4S
Switching-performance SiC FETs
Marcas: Qorvo
Parte do fabricante #: UF3C120040K4S
Ficha de dados: UF3C120040K4S Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-4
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.880 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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UF3C120040K4S Descrição geral
Elevate your power electronic systems with the UF3C120040K4S module, a premium solution designed to meet the demands of high-power applications with finesse. Featuring cutting-edge SiC technology, this module sets a new standard with its 1200V blocking voltage and 40A continuous drain current capacity. The UF3C120040K4S module shines with its ultra-low on-resistance and swift switching speeds, attributes that are crucial for applications seeking peak efficiency and steadfast performance. Its half-bridge configuration, comprising four individual UF3C120040K4S SiC FETs, offers a seamless integration experience for power systems across various industries. Trust in the UF3C120040K4S module's compact yet robust design to deliver exceptional thermal performance and unwavering reliability, even in the harshest of operating conditions. From power supplies to industrial inverters, this module caters to a broad spectrum of high-power applications, delivering unmatched efficiency and dependability with every operation
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 40A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | ±25V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Power Dissipation (Max) | 429W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The UF3C120040K4S is a silicon carbide (SiC) power MOSFET chip designed for high-power applications. It offers low on-resistance and high switching speed, resulting in higher efficiency and reduced power dissipation. Its rugged construction allows for operation in harsh environments and high-temperature conditions. This chip is suitable for power inverters, motor drives, and other high-power electronic systems.
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Equivalent
The equivalent products of UF3C120040K4S chip are the C3M0075120J, C3M0075120K, and C3M0075120K1 from Wolfspeed, as they all belong to the same family of SiC FETs and have similar performance characteristics. These chips are suitable for high power applications such as power supplies, motor drives, and renewable energy systems. -
Features
UF3C120040K4S is a 1200V silicon carbide FET with a continuous drain current of 40A and a maximum operating junction temperature of 175°C. It features low on-state resistance, high-speed switching, and high thermal conductivity. This FET is suitable for high power applications such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial motors. -
Pinout
The UF3C120040K4S is a silicon carbide MOSFET with a pin count of 4. The function of this component is to control the flow of electrical current in a circuit, making it suitable for applications requiring high power and efficiency, such as power supplies, electric vehicles, and renewable energy systems. -
Manufacturer
UnitedSiC is the manufacturer of the UF3C120040K4S. It is a semiconductor company that specializes in developing and manufacturing Silicon Carbide (SiC) power devices for a wide range of applications including power supplies, electric vehicles, renewable energy systems, and more. -
Application Field
The UF3C120040K4S is commonly used in applications requiring high power switching, such as power supplies, inverters, motor drives, and other industrial and automotive systems. Its ability to handle high voltages and temperatures makes it well-suited for demanding environments where reliability and performance are essential. -
Package
The UF3C120040K4S chip is available in a TO-247 3-lead package with a form of a discrete semiconductor. The size of the chip is approximately 10mm x 4.5mm x 16mm.
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