Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

UF3C120080K4S

1200V-80mΩ Silicon Carbide Field-Effect Transistor (SiC FET)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Qorvo

Parte do fabricante #: UF3C120080K4S

Ficha de dados: UF3C120080K4S Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-247-4

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para UF3C120080K4S ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

UF3C120080K4S Descrição geral

Meet the UF3C120080K4S power module – a game-changing solution for high-performance power electronics applications. With its silicon carbide technology and innovative design, this module delivers unmatched efficiency, power density, and reliability. The dual module configuration and bridgeless totem pole topology enable high performance in a compact package, making it perfect for industrial motor drives, renewable energy systems, and electric vehicle charging. Boasting a 1200V voltage rating, 80A current rating, and maximum junction temperature of 175°C, this module is designed to excel in demanding environments. The integration of SiC MOSFETs and Schottky diodes ensures fast switching speeds, low on-state resistance, and high temperature operation capabilities, making the UF3C120080K4S a top choice for power electronics engineers worldwide

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: Qorvo Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: SiC
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-247-4
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV Id - Continuous Drain Current: 33 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 100 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 6 V Qg - Gate Charge: 51 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 254.2 W Channel Mode: Enhancement
Qualification: AEC-Q101 Tradename: SiC FET
Series: UF3C Packaging: Tube
Brand: Qorvo Configuration: Single
Fall Time: 10 ns Product Type: MOSFET
Rise Time: 13 ns Factory Pack Quantity: 30
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 43 ns Typical Turn-On Delay Time: 33 ns
Unit Weight: 0.211644 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...