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MUN5111T1G
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: MUN5111T1G
Ficha de dados: MUN5111T1G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SC-70-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 20 | $0,034 | $0,680 |
| 200 | $0,028 | $5,600 |
| 600 | $0,024 | $14,400 |
| 3000 | $0,022 | $66,000 |
| 9000 | $0,020 | $180,000 |
| 21000 | $0,019 | $399,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
MUN5111T1G Descrição geral
This product, MUN5111T1G, is a PNP digital transistor with a built-in bias resistor network, featuring R1 and R2 values of 10 kilo ohm each. It is a small signal bipolar transistor capable of handling a maximum collector current (I(C)) of 0.1A and a collector-emitter breakdown voltage (V(BR)CEO) of 50V. This single-element, silicon-based transistor is designed to meet the needs of various electronic devices and systems
Características
- Increased Scalability
- Improved Multi-Threading Support
- Simplified Software Updates
- Increased Data Storage Capacity
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| RoHS: | Details | Configuration: | Single |
| Transistor Polarity: | PNP | Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-3 | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 35 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA | Pd - Power Dissipation: | 202 mW |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | MUN5111 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | Height: | 0.85 mm |
| Length: | 2.1 mm | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | Transistors |
| Width: | 1.24 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MUN5111T1G is a high-voltage NPN silicon transistor designed for various switching applications in automotive and industrial systems. It features a collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 8A, making it suitable for high-power applications. Additionally, the chip is housed in a SOT-23 package for easy integration into existing circuit designs.
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Equivalent
Some equivalent products of MUN5111T1G chip are ON Semiconductor MUN5111DW1T1G, Infineon BSS84P, Fairchild MMBT5551LT1G, and Texas Instruments TLV3501AIDBVT. These products are all NPN transistors with similar features and specifications to the MUN5111T1G chip. -
Features
MUN5111T1G is a high voltage general purpose transistor with integrated protection diode. It has a collector-emitter voltage of 50V, collector current of 500mA, and a power dissipation of 1.5W. It is ideal for switching applications in industries such as automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Pinout
The MUN5111T1G is a dual NPN bipolar transistor with a pin count of 3. It is used for general-purpose amplification or switching applications in electronic circuits. The pin functions are Collector (C), Base (B), and Emitter (E) for each transistor in the dual package. -
Manufacturer
MUN5111T1G is manufactured by ON Semiconductor, a multinational semiconductor supplier headquartered in Phoenix, Arizona. ON Semiconductor specializes in power and signal management, logic, discrete, and custom devices for applications in diverse industries, including automotive, communications, and consumer electronics. -
Application Field
MUN5111T1G is a high-speed, general-purpose switching diode that can be used in various applications such as rectification, high-speed switching, voltage clamping, and freewheeling diodes in automotive, industrial, and consumer electronics. It is commonly found in power supplies, voltage regulators, and signal processing circuits. -
Package
The MUN5111T1G chip is a surface mount transistor packaged in a SOT-23 form with a size of 2.93mm x 1.30mm x 1.30mm.
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