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$5000
MJE253G
PNP type transistors with a power dissipation of 15W
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: MJE253G
Ficha de dados: MJE253G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-225-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $0,618 | $0,618 |
10 | $0,513 | $5,130 |
30 | $0,461 | $13,830 |
100 | $0,408 | $40,800 |
500 | $0,332 | $166,000 |
1000 | $0,317 | $317,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
MJE253G Descrição geral
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.5 W Through Hole TO-126
![](/files/uploads/product/b/c0383b87-cbef-4a1d-be4a-23998712d485.webp)
Características
- High Efficiency - η = 95% (Typical)
- Low Temperature Coefficient - TC = ±50 ppm/°C (Typical)
- Wide Operating Range - VSAT = 1.8 to 5 Vdc
- Robust EMI Protection - Conducted and Radiated Emissions
- Fast Start-Up Time - tON = 20 μs (Typical) @ Vin = 1.5 Vdc
- Precise Current Limiting - ILIM = ±100 μAdc (Max)
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | TO-225-3 | Case Outline | 77-09 |
MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
Container Type | BLKBX | Container Qty. | 500 |
ON Target | Y | Polarity | PNP |
Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.6 |
IC Cont. (A) | 4 | VCEO Min (V) | 100 |
VCBO (V) | 100 | VEBO (V) | 7 |
VBE(sat) (V) | 1.8 | VBE(on) (V) | 1.5 |
hFE Min | 40 | hFE Max | 180 |
fT Min (MHz) | 40 | PTM Max (W) | 15 |
Pricing ($/Unit) | $0.2076 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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MJE253G is a power transistor chip commonly used in audio amplifiers and power control circuits. It is a medium power Darlington transistor with high current gain and low saturation voltage, making it suitable for applications requiring high power output. The chip is also known for its high switching speed and low thermal resistance, making it a popular choice among electronics hobbyists and professionals.
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Equivalent
The MJE253G transistor's equivalents include MJE253 (without the "G" suffix), 2N6045, TIP147, and MJ15024. These alternatives offer similar electrical characteristics and can be used interchangeably in many applications. -
Features
The MJE253G is a silicon NPN power transistor designed for high-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage of 400V, a collector current of 8A, and a power dissipation of 75W. This transistor is commonly used in power supply and motor control circuits. -
Pinout
The MJE253G is a bipolar power transistor with a TO-220 package. It typically has three pins: the collector, the base, and the emitter. It functions as a high-voltage switching and amplifier device in various electronic circuits, particularly in power supply and audio amplifier applications. -
Manufacturer
The MJE253G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of semiconductor-based solutions, offering a comprehensive portfolio of energy-efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices for diversified markets. -
Application Field
The MJE253G is a power transistor primarily used in applications requiring high power amplification and switching. Common applications include audio amplifiers, power supplies, motor control circuits, and industrial automation systems. Its high voltage and current handling capabilities make it suitable for various power electronics applications where efficient amplification and switching are required. -
Package
The MJE253G is a transistor with a TO-220 package type, a through-hole form factor, and a medium size, typically measuring around 10.4mm x 5.3mm x 16.6mm.
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