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Pedidos acima de
$5000MJE13009G
This NPN Bipolar Power Transistor has a maximum current rating of 12 amperes
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: MJE13009G
Ficha de dados: MJE13009G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MJE13009G Descrição geral
The MJE13009G is a versatile transistor that excels in high-voltage, high-speed power switching applications. Its design is optimized for fast fall times, making it an ideal choice for circuits that require precise control and efficient operation. Whether used in Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers, or Deflection circuits, this transistor delivers reliable performance and superior efficiency, helping engineers and designers meet the demands of their applications with confidence
Características
- Operating Temperature -40°C to 125°C
- Current Sensing & Monitoring Capabilities
- Epoxy-Free Construction for Reliable Performance
- High-Speed Switching Applications up to 10 kHz
- Fault Protection Diodes for Overcurrent & Undervoltage
- Advanced Gate Driver Technology for Improved Efficiency
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Consult Sales Office | Compliance | PbAHP |
| Package Type | TO-220-3 | Case Outline | 221A |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | TUBE | Container Qty. | 50 |
| ON Target | N | Polarity | NPN |
| VCEO Min (V) | 400 | hFE Min | 6 |
| hFE Max | 30 | fT Min (MHz) | 4 |
| PTM Max (W) | 100 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MJE13009G is a high voltage, high-speed switching transistors suitable for a wide range of applications including power supplies, motor control, and electronic ballasts. It offers high performance and reliability, making it a popular choice among electronic designers for demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of the MJE13009G chip are the MJE13005, MJE13007, and the MJE13009. These chips are all NPN silicon power transistors commonly used in high voltage and high-speed switching applications. -
Features
The MJE13009G is a NPN silicon power transistor designed for high-voltage, high-speed switching applications. It has a maximum collector-emitter voltage of 400V, a maximum collector current of 12A, and a maximum power dissipation of 200W. It has a TO-220AB package for easy mounting and heatsinking. -
Pinout
MJE13009G is a bipolar power transistor with a TO-220 package. It has three pins: the collector (C), base (B), and emitter (E). The pinout configuration is as follows: Pin 1 - Emitter, Pin 2 - Base, Pin 3 - Collector. It is commonly used for high-voltage, high-speed switching applications in power supply and amplifier circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of MJE13009G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of semiconductor-based solutions, offering a comprehensive portfolio of energy efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC and custom devices. They serve a wide range of markets including automotive, communications, computing, consumer, industrial, medical, and military/aerospace. -
Application Field
The MJE13009G is a high voltage NPN silicon power transistor commonly used in power supply, motor control, and electronic ballast applications. It is suitable for high frequency operation and can handle high voltage and current levels, making it ideal for a variety of power electronics applications. -
Package
The MJE13009G is a TO-220AB package type, NPN silicon power transistor. It has a form of through-hole and a size of 10.92mm x 4.46mm x 9.96mm.
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