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MJD112T4G 48HRS

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: onsemi

Parte do fabricante #: MJD112T4G

Ficha de dados: MJD112T4G Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: DPAK

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $0,468 $0,468
10 $0,381 $3,810
30 $0,344 $10,320
100 $0,297 $29,700
500 $0,276 $138,000
1000 $0,265 $265,000

Em estoque: 9.458 PCS

- +

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MJD112T4G Descrição geral

The MJD112T4G Darlington Bipolar Power Transistor is a versatile component that is essential for applications requiring high power and switching capabilities. Ideal for use in output or driver stages in a variety of electronic devices, this transistor offers reliable performance in switching regulators, converters, and power amplifiers. With its NPN design, the MJD112T4G complements the MJD117 (PNP) device, providing a complete and efficient solution for your circuit design needs

Características

  • Advanced Packaging for Increased Density
  • High-Speed SERDES Transceiver Built-In
  • Robust Error Correction Mechanisms Included
  • Suitable for 5G and IoT Applications
  • Fully Compatible with PCIe 3.0 Standard

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: onsemi Product Category: Darlington Transistors
RoHS: Details Configuration: Single
Transistor Polarity: NPN Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Maximum DC Collector Current: 2 A Maximum Collector Cut-off Current: 20 uA
Pd - Power Dissipation: 20 W Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-252-3 (DPAK) Minimum Operating Temperature: - 65 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Series: MJD112
Packaging: MouseReel Brand: onsemi
Continuous Collector Current: 2 A DC Collector/Base Gain hfe Min: 200, 500, 1000
Height: 2.38 mm Length: 6.73 mm
Product Type: Darlington Transistors Factory Pack Quantity: 2500
Subcategory: Transistors Width: 6.22 mm
Unit Weight: 0.016579 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The MJD112T4G is a power transistor chip. It belongs to the NPN high voltage Power Transistor family and is designed for high speed switching applications. It has a maximum collector current of 2 A and a high collector-emitter voltage of 100 V. The chip is commonly used in various electronic devices and circuits where high voltage switching is required.
  • Equivalent

    There are no direct equivalent products for the MJD112T4G chip. However, alternative options could include similar power transistors such as the MJD50T4G or the MJD122T4G. It is recommended to compare specifications and consult with the manufacturer for the best alternative match.
  • Features

    MJD112T4G is a NPN Darlington transistor. It has a maximum collector current of 2A, a maximum collector-emitter voltage of 100V, and a maximum power dissipation of 2W. It offers low saturation voltage, high DC current gain, and is designed for general purpose switching and amplifier applications.
  • Pinout

    The MJD112T4G is a transistor with a pin count of 4. It is a NPN bipolar power transistor commonly used for switching and amplification purposes in electronic circuits.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MJD112T4G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global supplier of semiconductor-based solutions, including a wide range of power and signal management, logic, discrete, and custom devices. They serve various industries such as automotive, consumer electronics, industrial, medical, and aerospace/defense.
  • Application Field

    The MJD112T4G is a high voltage NPN bipolar power transistor primarily used in applications such as automotive ignition systems, solenoid drivers, and switching power supplies. It is designed to handle high voltage and high current levels, making it suitable for various applications that require efficient switching capabilities.
  • Package

    The MJD112T4G chip is in a DPAK package type, which is a surface-mount power transistor package. The form is a rectangular plastic case with three leads. The size of the chip is approximately 6.6mm x 9.9mm x 2.57mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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