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Pedidos acima de
$5000IXTX210P10T
Ultra-low RDS(on) and high current handling capacity
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXTX210P10T
Ficha de dados: IXTX210P10T Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTX210P10T Descrição geral
With the IXTX210P10T P-Channel MOSFET, designers can streamline their high side switching applications by employing a straightforward drive circuit referenced to ground. This innovative approach eliminates the need for extra high side driver circuitry, reducing both complexity and component count. By integrating a complementary power output stage with an N-Channel MOSFET, a power half bridge stage can be effectively designed, further enhancing the efficiency and simplicity of the overall system
Características
- Advanced packaging
- Improved reliability
- Extended temperature range
Aplicativo
- Cost-effective solution
- Energy-efficient operation
- Long-lasting durability
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 210 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 15 V, + 15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 740 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 kW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchP | Series: | IXTX210P10 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 55 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 90 S | Height: | 21.34 mm |
| Length: | 16.13 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 98 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Type: | TrenchP Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 165 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 90 ns |
| Width: | 5.21 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXTX210P10T chip is a high-performance power transistor that is designed for use in industrial applications. It offers a high power rating and a low on-resistance, allowing it to handle large amounts of current with minimal heat dissipation. This chip is commonly used in motor control, power supplies, and other applications where efficient power handling is essential.
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Features
The IXTX210P10T features a single-channel, high-voltage gate driver that is capable of driving devices up to 1200V. It offers low power consumption, integrated protection features, and a wide range of input and output voltage. Additionally, it has a compact package design, making it suitable for various industrial applications. -
Pinout
The IXTX210P10T is a power semiconductor device with 3 pins, serving as a high voltage IGBT transistor. The pins are for the collector, emitter, and gate, respectively. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXTX210P10T is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets power semiconductors, mixed-signal integrated circuits, and more. -
Application Field
The IXTX210P10T is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as industrial automation, motor control, power supplies, and automotive systems. Its high efficiency and low on-resistance make it suitable for high-power applications where reliability and thermal performance are important. -
Package
The IXTX210P10T chip is available in the BGA package type with a form factor of 35mm x 35mm.
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