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IXTK120N25P 48HRS

3-Pin N-Channel Transistor with TO-264AA Package, rated for 250V and 120A

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Ixys

Parte do fabricante #: IXTK120N25P

Ficha de dados: IXTK120N25P Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-264-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 6.852 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $11,294 $11,294
200 $4,371 $874,200
500 $4,218 $2109,000
1000 $4,142 $4142,000

Em estoque: 6.852 PCS

- +

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IXTK120N25P Descrição geral

When it comes to high-performance applications, the IXTK120N25P is a top contender. This high-power MOSFET transistor boasts a formidable 250V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 120A. With a low on-resistance of 0.057 ohms, this N-Channel enhancement mode power MOSFET offers efficient power dissipation and minimal thermal resistance, leading to improved efficiency and reduced power losses. The TO-264 package enhances thermal conduction and power dissipation, while the wide operating temperature range of -55°C to 175°C ensures versatility in various environmental conditions

Características

  • Low input capacitance
  • High speed switching
  • Suitable for DC-DC converters
  • Low electromagnetic interference (EMI)

Aplicativo

  • Advanced power transistor for welding
  • Efficient control in motor applications
  • Versatile MOSFET for power supplies

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-264-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V
Id - Continuous Drain Current 120 A Rds On - Drain-Source Resistance 24 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V
Qg - Gate Charge 185 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 700 W
Channel Mode Enhancement Tradename PolarHT
Series IXTK120N25 Brand IXYS
Configuration Single Fall Time 33 ns
Forward Transconductance - Min 50 S Height 26.16 mm
Length 19.96 mm Product Type MOSFET
Rise Time 33 ns Factory Pack Quantity 25
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type PolarHT Power MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 130 ns
Typical Turn-On Delay Time 30 ns Width 5.13 mm
Unit Weight 0.352740 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor chip designed for high power switching applications. It has a continuous current rating of 120A and a voltage rating of 250V. Its compact size and high efficiency make it ideal for use in power supplies, motor control, and other high-power applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IXTK120N25P chip are IXFN120N25P, IXFN120N25T, IXKF120N25P, and IXKD120N25P. These devices are also power MOSFETs designed for high frequency and high power applications with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 250V and a current rating of 120A. It has a low on-resistance of 48 mΩ and a fast switching speed. This transistor is suitable for high power applications such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    The pin count of IXTK120N25P is 7 pins. This device is a high-power N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module used for power switching applications. It combines the high-speed and low-voltage drive capabilities of an MOSFET with the high-current and low-saturation voltage capabilities of a bipolar transistor.
  • Manufacturer

    IXTK120N25P is manufactured by IXYS Corporation. They are a multinational semiconductor company specializing in the development and production of power semiconductors, integrated circuits, and power systems for a wide range of industries including automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    IXTK120N25P is commonly used in applications such as industrial power supplies, motor controls, welding equipment, and switch mode power supplies. It is also used in automotive and transportation systems, as well as in renewable energy systems like solar inverters and wind turbines.
  • Package

    The IXTK120N25P chip is in a TO-264 package, with a transistor form and size of 3.3 mm x 10 mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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