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IXFN34N80
SOT-227B MOSFETs IXFN34N80
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFN34N80
Ficha de dados: IXFN34N80 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227-4
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $78,313 | $78,313 |
| 200 | $31,249 | $6249,800 |
| 500 | $30,203 | $15101,500 |
| 1000 | $29,687 | $29687,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
IXFN34N80 Descrição geral
The IXFN34N80 product from the N-Channel HiPerFET™ Standard series is a top-tier Power MOSFET designed for demanding industrial applications. Its low gate charge, ruggedness, and fast intrinsic diode make it a reliable choice for hard switching and resonant mode operations. Engineers and manufacturers appreciate the versatility of this series, which comes in a range of standard industrial packages, including isolated types. With the HiPerFET™ Standard series, users can count on consistent performance and durability in their power electronics projects
Características
- Robust Immunity to Radiated Interference
- High Isolation and Noise Rejection
- Superior Power Efficiency Ratio
- Fine Temperature Control Ability
Aplicativo
- High efficiency
- Low noise operation
- Advanced technology
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Technology: | Si | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Mounting Style: | Chassis Mount | Package / Case: | SOT-227-4 |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | HiPerFET | Packaging: | Tube |
| Brand: | IXYS | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 40 ns | Height: | 9.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A | Length: | 38.2 mm |
| Number of Channels: | 1 Channel | Pd - Power Dissipation: | 600 W |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance: | 240 mOhms |
| Rise Time: | 45 ns | Factory Pack Quantity: | 10 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules | Tradename: | HyperFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Width: | 25.07 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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