Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

IXFH60N50P3

Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: IXYS

Parte do fabricante #: IXFH60N50P3

Ficha de dados: IXFH60N50P3 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO247-3

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 6.674 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IXFH60N50P3 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

IXFH60N50P3 Descrição geral

Unleash the power of the IXFH60N50P3, the latest innovation from our PolarP3™ HiPerFET™ product family. With a focus on high performance in the 300V, 500V, and 600V range, this product offers an impressive Figure of Merit (FOM) that surpasses traditional super junction technologies. The IXFH60N50P3 delivers unparalleled results, including up to a 12 percent reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent decrease in gate charge (Qg), and an outstanding 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Additionally, advancements in thermal management have been achieved through reduced chip thicknesses, resulting in lower thermal resistances and increased total power density. Elevate your electronics with the superior capabilities of the IXFH60N50P3

Características

  • Increased power conversion
  • High-efficiency operation
  • Compact design
  • Easy integration

Aplicativo

  • Cutting-edge energy solutions
  • Intelligent power management
  • Efficient motor control

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer IXYS Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V Id - Continuous Drain Current 60 A
Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V Qg - Gate Charge 96 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 1.04 mW Channel Mode Enhancement
Tradename HiPerFET Series IXFH60N50
Brand IXYS Configuration Single
Fall Time 8 ns Forward Transconductance - Min 60 S, 35 S
Product Type MOSFET Rise Time 16 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...