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Pedidos acima de
$5000IXFH20N60Q
N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET
Marcas: Littelfuse
Parte do fabricante #: IXFH20N60Q
Ficha de dados: IXFH20N60Q Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.491 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH20N60Q Descrição geral
The IXFH20N60Q Power MOSFET, part of the Q-Class series, is a sought-after solution for engineers and professionals looking for top-notch performance in their applications. With low gate charge and exceptional ruggedness, this device is designed to excel in both hard switching and resonant mode scenarios. Its fast intrinsic diode further enhances its efficiency, providing users with precise control and reliable operation. Available in standard industrial packages, including isolated types, this MOSFET offers convenience and flexibility for a seamless integration into various industrial setups. Trusted for its quality and durability, the IXFH20N60Q Power MOSFET is a reliable choice for those seeking a high-performing solution for their industrial needs
Características
- High Frequency and High Current Capabilities
- Ruggedized Package for Harsh Environments
- Silicon Carbide Diode with Fast Recovery Time
Aplicativo
- DC-DC converters
- Battery chargers
- Switched-mode and resonant-mode power supplies
- DC choppers
- AC motor control
- Advantages:
- Easy assembly
- High Power density
- Space savings
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 600 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.35 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 20 | Gate Charge (nC) | 95 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 3700 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.42 |
| Configuration | Single | Package Type | TO-247 |
| Power Dissipation (W) | 298 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
| Sample Request | No |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXFH20N60Q is a high-power, high-efficiency MOSFET transistor designed for use in power switching applications. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 20A, making it suitable for a wide range of applications in power electronics and motor control. Its advanced design features low on-state resistance and fast switching speeds for improved performance.
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Equivalent
The equivalent products of IXFH20N60Q chip are MTW20N60E and IRFP260N. They are both MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for the IXFH20N60Q in various applications. -
Features
IXFH20N60Q is a high voltage IGBT with a maximum voltage rating of 600V and a continuous current rating of 40A. It has a low VCE(sat) of 2.3V and a fast switching speed for efficient power conversion. This device also has a compact TO-247 package and is suitable for a wide range of industrial and automotive applications. -
Pinout
The IXFH20N60Q is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-247 package. It functions as a high-power switching device for applications requiring high switching speeds and low conduction losses. -
Manufacturer
IXFH20N60Q is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a power semiconductor manufacturer known for designing, producing, and marketing advanced power semiconductors, including power MOSFETs, IGBTs, rectifiers, and thyristors. The company serves a wide range of industries, including automotive, aerospace, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IXFH20N60Q can be used in various applications such as AC-DC power supplies, motor drives, UPS systems, welding equipment, induction heating, and solar inverters. It is suitable for high power switching in industrial and consumer electronics. -
Package
The IXFH20N60Q chip comes in a TO-247 package type. It is a form of a standard transistor and has a size of 10.3mm x 5.3mm.
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