Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Infineon IRFS3206TRRPBF 48HRS

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon Technologies Corporation

Parte do fabricante #: IRFS3206TRRPBF

Ficha de dados: IRFS3206TRRPBF Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: D2PAK

Status RoHS:

Condição de estoque: 2348 peças, novo original

Tipo de Produto: Transistores

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $2,207 $2,207
10 $1,942 $19,420
30 $1,776 $53,280
100 $1,448 $144,800
500 $1,372 $686,000
800 $1,338 $1070,400

In Stock:2348 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IRFS3206TRRPBF ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

IRFS3206TRRPBF Descrição geral

N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK

Características

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Enhanced dV/dT and dI/dT capability
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFET RoHS: Details
Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-263-3 Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Id - Continuous Drain Current: 210 A Rds On - Drain-Source Resistance: 2.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Qg - Gate Charge: 120 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C Pd - Power Dissipation: 300 W
Channel Mode: Enhancement Packaging: MouseReel
Brand: Infineon Technologies Configuration: Single
Fall Time: 83 ns Forward Transconductance - Min: 210 S
Height: 4.4 mm Length: 10 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 82 ns
Factory Pack Quantity: 800 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 55 ns
Typical Turn-On Delay Time: 19 ns Width: 9.25 mm
Unit Weight: 0.139332 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The IRFS3206TRRPBF is a high-performance N-channel MOSFET transistor designed for power applications, featuring low on-resistance and high current capabilities. It is commonly used in electronic circuits to control and switch high-power loads efficiently.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IRFS3206TRRPBF chip are IRFS3206TRPBF, IRFS3107TRLPBF, IRFS3206TRL7PPBF, IRFS3206TRLPBF, and IRFS3206TRLPBF. These products are MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    Some features of IRFS3206TRRPBF include a high current capability, low on-state resistance, fast switching speed, and low gate charge. It is a power MOSFET suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and DC-DC converters.
  • Pinout

    The IRFS3206TRRPBF is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin functions are Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is typically used in power supply and motor control applications.
  • Manufacturer

    The IRFS3206TRRPBF is manufactured by Infineon Technologies, a multinational semiconductor company based in Germany. Infineon specializes in the design and production of a wide range of semiconductor products for various industries, including automotive, industrial, and power management.
  • Application Field

    The IRFS3206TRRPBF is commonly used in a variety of applications, including power supplies, motor drives, inverters, converters, and voltage regulation circuits. It is well-suited for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching speed. Additionally, it is frequently utilized in industrial, automotive, and consumer electronic devices.
  • Package

    The IRFS3206TRRPBF chip is a surface mount, TO-263 package with a through-hole form factor. It measures 10.29mm in length, 10.29mm in width, and has a height of 4.7mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar IRFS3206TRRPBF PDF Download

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...