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Infineon IRF8301MTRPBF

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MT package rated at 34 amperes optimized with low on resistance., DIRECTFET, RoHS

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon Technologies Corporation

Parte do fabricante #: IRF8301MTRPBF

Ficha de dados: IRF8301MTRPBF Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: DirectFET™ Isometric MT

Tipo de Produto: Semicondutores Discretos

Status RoHS:

Condição de estoque: 3835 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF8301MTRPBF Descrição geral

Benefits: Ultra-low RDS(on); Low Profile (less than 0.7 mm); Dual Sided Cooling Compatible; Ultra-low Package Inductance; Optimized for high speed switching or high current switch (Power Tool); Low Conduction and Switching Losses; Compatible with existing Surface Mount Techniques; StrongIRFET | Target Applications: Battery Operated Drive; Battery Protection; eFuse; Full-Bridge; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; ORing; Point of Load SyncFET; Push-Pull

Características

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) inductance package
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

Aplicativo

  • LED
  • Motor control
  • Notebook

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Source Content uid IRF8301MTRPBF
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Obsolete
Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 52 Weeks
Samacsys Manufacturer Infineon Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas) 260 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 34 A Drain-source On Resistance-Max 0.0015 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-XBCC-N3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR Package Style CHIP CARRIER
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 89 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 250 A Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Series HEXFET® Product Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Ta), 192A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6140 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package DIRECTFET™ MT
Package / Case DirectFET™ Isometric MT

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Ficha de dados PDF

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