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Infineon IRF640NSPBF
This product, IRF640NSPBF, is an N-channel D2PAK MOSFET rated for 200 volts and 18 amps, with a power rating of 150 watts
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IRF640NSPBF
Ficha de dados: IRF640NSPBF Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-252-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 2467 peças, novo original
Tipo de Produto: Transistores
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,409 | $0,409 |
| 200 | $0,158 | $31,600 |
| 500 | $0,152 | $76,000 |
| 1000 | $0,151 | $151,000 |
In Stock:2467 PCS
IRF640NSPBF Descrição geral
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Características
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- High current capability
- Enhanced avalanche energy capability
- Low input and output capacitance to reduce switching losses
- Logic-level gate drive compatibility for easy interfacing
- Halogen-free and RoHS compliant
- TO-262 package for easy mounting
Aplicativo
- Switching applications in power supplies
- DC-DC converters
- Motor control
- Automotive systems
- Industrial automation
- LED lighting
- Solar inverters
- Battery management systems
- Voltage regulators
- Electronic ballasts
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Id - Continuous Drain Current | 18 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Qg - Gate Charge | 44.7 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 150 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Fall Time | 5.5 ns | Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 19 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 23 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 6.22 mm |
| Part # Aliases | SP001554094 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The IRF640NSPBF chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high voltage applications. It has a drain-source voltage rating of 200V and a continuous drain current of 18A. The chip features low on-resistance and is suitable for a wide range of power applications, including switching and amplification in various electronic circuits.
-
Equivalent
Some possible equivalent products for the IRF640NSPBF chip are the IRFP640 and IRF640N. These chips are known for their similar electrical characteristics and compatibility with various applications. -
Features
Some features of the IRF640NSPBF MOSFET include a voltage rating of 200V, a current rating of 18A, and a low on-resistance of 0.18Ω. It also has a fast switching speed, making it suitable for power switching applications. The package type is TO-220. -
Pinout
IRF640NSPBF is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 3 and is commonly used in applications such as motor control, high-power audio amplifiers, and switching power supplies. The three pins are Gate, Drain, and Source, which control the flow of current through the device. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRF640NSPBF is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer, specializing in the production of power semiconductor components and modules. -
Application Field
The IRF640NSPBF is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as switching power supplies, motor control, and audio amplifiers. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for various industrial and electronic applications where efficient power switching is required. -
Package
The IRF640NSPBF chip is packaged in a TO-263-3 (D2PAK) form with a size of 10.46mm x 9.15mm x 4.57mm.
Ficha de dados PDF
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
The components I ordered came well-packaged and worked as I expected.