Infineon IPP60R074C6
Infineon MOSFET Transistor IPP60R074C6"
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IPP60R074C6
Ficha de dados: IPP60R074C6 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3600 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaIPP60R074C6 Descrição geral
The IPP60R074C6 is a 600V CoolMOS C6 series power MOSFET designed for a variety of high-efficiency applications such as power supplies, lighting, and motor control. It has a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 30A, making it suitable for high-power applications.This MOSFET features ultra-low on-state resistance (Rds(on)) of 0.074 ohms, which allows for reduced power losses and improved efficiency in power conversion systems. It also has a low gate charge of 36nC, ensuring fast switching speeds and minimal switching losses.The IPP60R074C6 is housed in a TO-220 package, which provides efficient thermal dissipation and allows for easy mounting on a heatsink. It has a maximum operating temperature of 150 degrees Celsius, making it suitable for demanding industrial applications.
Características
- N-channel power MOSFET
- Designed for high current application
- Low on-resistance
- Enhanced efficiency
- High switching speed
- Low gate charge
- Compatible with standard level logic
- High energy efficiency
- ESD protection
- RoHS compliant
Aplicativo
- Industrial automation systems
- Electrical drives
- Renewable energy systems
- Power supplies
- Automotive systems
- Motor control applications
- Switching power supplies
- DC/DC converters
- Welding equipment
- Battery chargers
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Id - Continuous Drain Current | 57.7 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 67 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 138 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 480.8 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | CoolMOS |
Series | CoolMOS C6 | Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Single | Fall Time | 4 ns |
Height | 15.65 mm | Length | 10 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 7 ns |
Factory Pack Quantity | 500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | Width | 4.4 mm |
Part # Aliases | IPP6R74C6XK SP000898652 IPP60R074C6XKSA1 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Peças Equivalentes
Para o IPP60R074C6 componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:
Número da peça
Marcas
Pacote
Descrição
Número da peça : IRFP4710PBF
Marcas :
Pacote : TO-247(AC)
Descrição : MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.011Ω; ID 72A; TO-247AC; PD 190W; VGS +/-20V
Número da peça : IRFP460LC-ND
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : STP60NF06L
Marcas :
Pacote : TO-220
Descrição : N-CHANNEL 60V - 0.012 Ohm - 60A TO-220 / TO-220FP / D2PAK STripFETTM II POWER MOSFET
Número da peça : STP55NF06L
Marcas :
Pacote : TO-220
Descrição : N CHANNEL MOSFET, 60V, 55A,Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:55A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V, No. of Pins:3 Power MOSFET
Número da peça : FDP047AN08A0
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Part points
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IPP60R074C6 is a power MOSFET semiconductor chip widely used in electronic devices for high-voltage applications. It offers low on-state resistance and high switching speeds, making it efficient for power management and control. The chip is designed for optimal performance in modern electronic systems requiring reliable and high-power operation.
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Equivalent
The equivalent products of IPP60R074C6 chip are IPP60R074C7, IPP60R074CP, IPP60R190C6, IPP60R190C7, IPP60R190CP, and IPP60R190P7. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. N-channel power MOSFET 2. 600V drain-source voltage 3. 60A continuous drain current 4. Low switching losses 5. 1.4V gate threshold voltage 6. Optimized for high-frequency applications 7. Excellent thermal performance 8. Suitable for motor drives, inverters, and industrial applications. -
Pinout
The IPP60R074C6 is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is commonly used in power supply applications due to its high voltage and current handling capabilities. -
Manufacturer
The IPP60R074C6 is manufactured by Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer specializing in the production of a wide range of semiconductor products for various applications, including automotive, industrial, and power management. They are known for their high-quality and innovative products in the industry. -
Application Field
The IPP60R074C6 is a power MOSFET suitable for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. It is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and audio amplifiers due to its high efficiency, low on-resistance, and robust construction. -
Package
The IPP60R074C6 chip is a Power MOSFET transistor in a TO-220 package type. It is in a through-hole form with a size of 10.4mm x 4.1mm x 9.7mm.
Ficha de dados PDF
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