Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Infineon IPP60R074C6

Infineon MOSFET Transistor IPP60R074C6"

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: IPP60R074C6

Ficha de dados: IPP60R074C6 Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: TO-220-3

Tipo de Produto: Transistores

Status RoHS:

Condição de estoque: 3600 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Adicionar à lista técnica

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IPP60R074C6 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

IPP60R074C6 Descrição geral

The IPP60R074C6 is a 600V CoolMOS C6 series power MOSFET designed for a variety of high-efficiency applications such as power supplies, lighting, and motor control. It has a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 30A, making it suitable for high-power applications.This MOSFET features ultra-low on-state resistance (Rds(on)) of 0.074 ohms, which allows for reduced power losses and improved efficiency in power conversion systems. It also has a low gate charge of 36nC, ensuring fast switching speeds and minimal switching losses.The IPP60R074C6 is housed in a TO-220 package, which provides efficient thermal dissipation and allows for easy mounting on a heatsink. It has a maximum operating temperature of 150 degrees Celsius, making it suitable for demanding industrial applications.

ipp60r074c6

Características

  • N-channel power MOSFET
  • Designed for high current application
  • Low on-resistance
  • Enhanced efficiency
  • High switching speed
  • Low gate charge
  • Compatible with standard level logic
  • High energy efficiency
  • ESD protection
  • RoHS compliant

Aplicativo

  • Industrial automation systems
  • Electrical drives
  • Renewable energy systems
  • Power supplies
  • Automotive systems
  • Motor control applications
  • Switching power supplies
  • DC/DC converters
  • Welding equipment
  • Battery chargers

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Id - Continuous Drain Current 57.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 67 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 138 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 480.8 W
Channel Mode Enhancement Tradename CoolMOS
Series CoolMOS C6 Brand Infineon Technologies
Configuration Single Fall Time 4 ns
Height 15.65 mm Length 10 mm
Product Type MOSFET Rise Time 7 ns
Factory Pack Quantity 500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 56 ns
Typical Turn-On Delay Time 11 ns Width 4.4 mm
Part # Aliases IPP6R74C6XK SP000898652 IPP60R074C6XKSA1

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Peças Equivalentes

Para o IPP60R074C6 componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:

Número da peça

Marcas

Pacote

Descrição

Número da peça :   IRFP4710PBF

Marcas :  

Pacote :   TO-247(AC)

Descrição :   MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.011Ω; ID 72A; TO-247AC; PD 190W; VGS +/-20V

Número da peça :   IRFP460LC-ND

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :  

Número da peça :   STP60NF06L

Marcas :  

Pacote :   TO-220

Descrição :   N-CHANNEL 60V - 0.012 Ohm - 60A TO-220 / TO-220FP / D2PAK STripFETTM II POWER MOSFET

Número da peça :   STP55NF06L

Marcas :  

Pacote :   TO-220

Descrição :   N CHANNEL MOSFET, 60V, 55A,Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:55A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V, No. of Pins:3 Power MOSFET

Número da peça :   FDP047AN08A0

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :  

Part points

  • IPP60R074C6 is a power MOSFET semiconductor chip widely used in electronic devices for high-voltage applications. It offers low on-state resistance and high switching speeds, making it efficient for power management and control. The chip is designed for optimal performance in modern electronic systems requiring reliable and high-power operation.
  • Equivalent

    The equivalent products of IPP60R074C6 chip are IPP60R074C7, IPP60R074CP, IPP60R190C6, IPP60R190C7, IPP60R190CP, and IPP60R190P7. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    1. N-channel power MOSFET 2. 600V drain-source voltage 3. 60A continuous drain current 4. Low switching losses 5. 1.4V gate threshold voltage 6. Optimized for high-frequency applications 7. Excellent thermal performance 8. Suitable for motor drives, inverters, and industrial applications.
  • Pinout

    The IPP60R074C6 is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is commonly used in power supply applications due to its high voltage and current handling capabilities.
  • Manufacturer

    The IPP60R074C6 is manufactured by Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer specializing in the production of a wide range of semiconductor products for various applications, including automotive, industrial, and power management. They are known for their high-quality and innovative products in the industry.
  • Application Field

    The IPP60R074C6 is a power MOSFET suitable for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. It is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and audio amplifiers due to its high efficiency, low on-resistance, and robust construction.
  • Package

    The IPP60R074C6 chip is a Power MOSFET transistor in a TO-220 package type. It is in a through-hole form with a size of 10.4mm x 4.1mm x 9.7mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar IPP60R074C6 PDF Download

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...