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ON BSS123LT1
MOSFET 100V 170mA N-Channel
Marcas: ON Semiconductor, LLC
Parte do fabricante #: BSS123LT1
Ficha de dados: BSS123LT1 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3866 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaBSS123LT1 Descrição geral
MOSFET, N SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:0.17A; Resistance, Rds On:6ohm; Case Style:SOT-23 (TO-236); Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:0.68A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.225W; Power, Pd:0.225W; SMD Marking:SA; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V; Voltage, Vgs th Max:2.8V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Características
- RoHS Compliant
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Obsolete | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | SC-74 (SC-59ML) 6 LEAD |
| Case Outline | 318 | MSL Type | 1 |
| MSL Temp (°C) | 235 | Container Type | REEL |
| Container Qty. | 3000 | ON Target | N |
| Channel Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
| V(BR)DSS Min (V) | 100 | VGS Max (V) | 20 |
| VGS(th) Max (V) | 2.8 | ID Max (A) | 0.17 |
| PD Max (W) | 0.225 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | - | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 6000 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | - |
| Ciss Typ (pF) | 20 | Pricing ($/Unit) | Price N/A |
| Case/Package | TO-236-3 | Mount | Surface Mount |
| Number of Pins | 3 | Continuous Drain Current (ID) | 170 mA |
| Current Rating | 170 mA | Drain to Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Drain to Source Resistance | 6 Ω | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Element Configuration | Single | Gate to Source Voltage (Vgs) | 20 V |
| Input Capacitance | 20 pF | Max Operating Temperature | 150 °C |
| Max Power Dissipation | 225 mW | Min Operating Temperature | -55 °C |
| Packaging | Cut Tape (CT) | Power Dissipation | 225 mW |
| Rds On Max | 6 Ω | Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Voltage Rating (DC) | 100 V |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The BSS123LT1 chip is a small signal MOSFET transistor designed for switching applications in low-voltage circuits. It features a low on-resistance and low gate threshold voltage, making it suitable for battery-operated devices and low-power applications. The chip is compact and offers high speed and reliability, making it commonly used in consumer electronics, computers, and automotive systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSS123LT1 chip are the BSS84LT1G, BSS84LT3G, and BSS84LT3. -
Features
The BSS123LT1 is a N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 0.17A, and a low on-resistance of 1.2 ohms. It is compact in size and designed for use in a variety of low-power applications, including switching, amplification, and level shifting circuits. -
Pinout
The BSS123LT1 is a N-Channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has three pins - gate (G), drain (D), and source (S). The pin count of the BSS123LT1 is 3, and its primary function is to amplify and switch electronic signals in various electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSS123LT1 is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that specializes in power and signal management, discrete, and custom semiconductor solutions. -
Application Field
The BSS123LT1 is a small signal MOSFET transistor commonly used in low voltage applications such as battery-powered devices, consumer electronics, and portable devices. It can be used for switching, amplification, and logic level shifting purposes. -
Package
The BSS123LT1 chip is available in a SOT-23 package type. The form and size of this chip are small and compact, measuring approximately 3.0mm x 1.3mm x 1.1mm.
Ficha de dados PDF
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