Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

NXP AFT05MS006NT1

RF Mosfet 7.5 V 100 mA 520MHz 18.3dB 6W PLD-1.5W

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: NXP

Parte do fabricante #: AFT05MS006NT1

Ficha de dados: AFT05MS006NT1 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: PLD-1.5W

Tipo de Produto: RF FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para AFT05MS006NT1 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

AFT05MS006NT1 Descrição geral

The AFT05MS006NT1 RF FET transistor offers reliable performance and efficiency in high-frequency applications. Its N-channel design allows for controlled signal amplification and switching, while the 30V operating voltage ensures compatibility with various power sources. With a frequency range spanning from 136MHz to 941MHz, this transistor is well-suited for use in wireless communication systems, radar systems, and other RF applications. Its 3-pin PLD-1.5W package provides a compact and lightweight solution for space-constrained designs. The Tape and Reel packaging option simplifies the assembly process for manufacturers, ensuring quick and efficient production of RF circuits using this transistor

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel
Technology: Si Id - Continuous Drain Current: 4.7 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Rds On - Drain-Source Resistance: -
Operating Frequency: 136 MHz to 941 MHz Gain: 18.3 dB
Output Power: 6 W Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT
Packaging: MouseReel Brand: NXP Semiconductors
Moisture Sensitive: Yes Product Type: RF MOSFET Transistors
Series: AFT05MS006N Factory Pack Quantity: 1000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: LDMOS FET
Type: RF Power MOSFET Part # Aliases: 935311718515
Unit Weight: 0.009877 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The AFT05MS006NT1 chip is a GaN power amplifier designed for use in satellite communication applications. It offers high power efficiency, wide bandwidth, and low RF distortion, making it ideal for use in high-frequency communications systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of AFT05MS006NT1 chip are AFT05MS004NT1 and AFT05MS012NT1 chips. These chips have similar specifications and functionalities to the AFT05MS006NT1 chip.
  • Features

    AFT05MS006NT1 is a high-power RF transistor with a maximum power output of 9W and operates at a frequency of 520-610 MHz. It is designed for use in applications such as two-way radios and small base stations. It has a compact size, high gain, and high efficiency, making it ideal for low power output requirements.
  • Pinout

    AFT05MS006NT1 is a 6-pin module RF power amplifier with a typical output power of 37.5 dBm in the 1.8-2.2 GHz frequency range. The pins are for RF input, Vdd, Ground, Vbias, RF output, and Enable.
  • Manufacturer

    AFT05MS006NT1 is manufactured by Mitsubishi Electric. Mitsubishi Electric is a multinational electronics and electrical equipment manufacturing company based in Japan. They produce a wide range of products including air conditioning systems, automotive equipment, elevators, and factory automation systems.
  • Application Field

    AFT05MS006NT1 is a thermal interface material designed for applications where high electrical insulation and low thermal resistance are required, such as power supplies, LED lighting, and electric vehicles. It is commonly used in automotive, industrial, and electronics industries for efficient heat dissipation and thermal management.
  • Package

    The AFT05MS006NT1 chip is a SMT package type, in the form of a surface-mount device. It has a size of 6.2 mm x 4.5 mm x 1.6 mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • BLF878

    BLF878

    Ampleon Usa Inc.

    Reliable power switching solution for wireless com...

  • BLF147

    BLF147

    Ampleon Usa Inc.

    Rugged N-channel FET suitable for motor control, l...

  • MRFE6S9060NR1

    MRFE6S9060NR1

    NXP

    RF Mosfet 28 V 450 mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2

  • MJE13009

    MJE13009

    Onsemi

    12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

  • FQP9N50C

    FQP9N50C

    Onsemi

    Designed for high-frequency and high-reliability p...

  • FQP18N50V2

    FQP18N50V2

    Onsemi

    TO-220 Packaged N-Channel MOSFET for Rail Mounting