Infineon BSC046N10NS3G
Infineon BSC046N10NS3G N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: BSC046N10NS3G
Ficha de dados: BSC046N10NS3G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: QFN-8 5X6
Tipo de Produto: INFINEON
Status RoHS:
Condição de estoque: 3843 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaBSC046N10NS3G Descrição geral
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Source Content uid | BSC046N10NS3G | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
Package Description | GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8 | Pin Count | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 350 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 17 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0046 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-N8 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Part points
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The BSC046N10NS3G is a power MOSFET chip from Infineon Technologies. It is designed for various applications and offers a low on-resistance and high power capability. The chip features a low switching and conduction losses, making it efficient in power management systems. With its compact size and high performance, the BSC046N10NS3G chip is suitable for a wide range of power electronics applications.
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Equivalent
BSC046N10NS3G chip does not have any direct equivalent products. The chip, produced by Infineon Technologies, is a N-channel power MOSFET designed for applications such as motor control and DC-DC conversion. -
Features
The BSC046N10NS3G is a power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 46A. It has a low ON resistance, high power dissipation capability, and is suitable for various applications such as power tools, motor control, and power supplies. -
Pinout
The BSC046N10NS3G is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 2 (Drain and Source) and is commonly used for power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSC046N10NS3G is Infineon Technologies AG. Infineon is a global semiconductor company that specializes in manufacturing and designing a wide range of electronic components and systems. It offers products for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics, among others. -
Application Field
The BSC046N10NS3G is a power MOSFET transistor that can be used in various application areas, including power supplies, motor control, automotive systems, and battery management. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for applications that require efficient power switching and high-performance electronic systems. -
Package
The BSC046N10NS3G chip is available in a TO-220 package type, with a form of through-hole mounting. The package size is typically around 10.3mm in length, 9.5mm in width, and 4.6mm in height.
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