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Infineon BSC035N10NS5ATMA1
N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: BSC035N10NS5ATMA1
Ficha de dados: BSC035N10NS5ATMA1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TDSON-8
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2508 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaBSC035N10NS5ATMA1 Descrição geral
N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Características
- Optimized for synchronous rectification
- Ideal for high switching frequency
- Output capacitance reduction of up to 44%
- R DS(on) reduction of up to 43% from previous generation
- Highest system efficiency
- Reduced switching and conduction losses
- Less paralleling required
- Increased power density
- Low voltage overshoot
Aplicativo
- Telecom
- Server
- Solar
- Low voltage drives
- Light electric vehicles
- Adapter
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 300 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0035 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | FLAT | Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The BSC035N10NS5ATMA1 chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) commonly used in electronic devices and applications that require high-power handling. It is designed to operate efficiently with low on-resistance and high load current capability. The chip's compact size and reliable performance make it suitable for a wide range of power circuit designs and applications.
-
Features
The BSC035N10NS5ATMA1 is a power MOSFET with a VDS voltage rating of 100V and low on-resistance. It has a compact package with a low gate charge and excellent switching performance, making it suitable for various power applications including motor control and power supplies. -
Pinout
The BSC035N10NS5ATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 8. The pins are used for different functions including the gate (G), drain (D), source (S), and other auxiliary pins for protection and control purposes. -
Manufacturer
Infineon is the manufacturer of the BSC035N10NS5ATMA1. It is a semiconductor manufacturing company that specializes in producing power management and control solutions for a wide range of applications in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC035N10NS5ATMA1 is a power MOSFET transistor designed for use in various applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters. -
Package
The BSC035N10NS5ATMA1 chip has a package type of PowerSemi2, a form of SMD, and a size of 5x6 mm.
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