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Infineon BSC028N06NSTATMA1
Transistor MOSFET N-Channel 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: BSC028N06NSTATMA1
Ficha de dados: BSC028N06NSTATMA1 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: PG-TDSON-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 2588 peças, novo original
Tipo de Produto: Outros componentes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $1,424 | $1,424 |
| 10 | $1,216 | $12,160 |
| 30 | $1,099 | $32,970 |
| 100 | $0,970 | $97,000 |
| 500 | $0,913 | $456,500 |
| 1000 | $0,886 | $886,000 |
In Stock:2588 PCS
BSC028N06NSTATMA1 Descrição geral
The BSC028N06NSTATMA1 is a N-channel 60V Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. This MOSFET is part of the OptiMOS™ 5 family and is designed for high-performance power electronics applications.The BSC028N06NSTATMA1 has a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current rating of 130A. This makes it suitable for a wide range of power supply, motor control, and automotive applications where high power handling capabilities are required.This MOSFET features an ultra-low ON-state resistance of 2.8 mΩ, which helps to minimize power losses and improve efficiency in applications where high current is being switched.The BSC028N06NSTATMA1 also features a strong gate charge profile, allowing for fast and efficient switching performance. This makes it ideal for applications that require high frequency switching or rapid response times.In addition, the BSC028N06NSTATMA1 is housed in a TO-220 package, which provides excellent thermal performance and reliability. This package is also compatible with standard through-hole PCB mounting techniques, making it easy to integrate into existing designs.
Características
- N-channel MOSFET
- Optimized for synchronous rectification
- Low on-resistance
- High power efficiency
- Fast switching speed
- Low gate charge
- Avalanche-rated
- RoHS compliant
- Halogen-free
- Lead (Pb)-free
Aplicativo
- Automotive applications
- Industrial automation
- Power management systems
- Motor control systems
- Robotics
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | RoHS compliant, tape&reel, non dry |
| packageNameMarketing | SuperSO8 | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | Y17 | productClassification | ASP |
| productStatusInfo | active | hfgr | A |
| packageName | PG-TDSON-8 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001666498 |
| fourBlockPackageName | PG-TDSON-8-7 | rohsCompliant | yes |
| opn | BSC028N06NSTATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001666498 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BSC028N06NSTATMA1 chip is a N-channel power MOSFET developed by Infineon Technologies. It is designed for low voltage automotive applications, such as powertrain systems and body electronics. The chip offers high efficiency and low on-resistance, making it suitable for high-current applications. It also includes a built-in protective feature to prevent damage from overcurrent and overtemperature conditions.
-
Equivalent
The equivalent products of the BSC028N06NSTATMA1 chip include the BSC027N06NSTATMA1, BSC029N06NSTATMA1, and BSC030N06NSTATMA1 chips, all of which are manufactured by Infineon Technologies. -
Features
The BSC028N06NSTATMA1 is a N-channel enhancement mode power MOSFET. It features a drain-source voltage rating of 60 volts and a continuous drain current of 74 amperes. It has a low on-resistance of 2.8 milliohms, making it suitable for high current applications. The MOSFET also offers a robust design and excellent thermal performance. -
Pinout
The BSC028N06NSTATMA1 is a power MOSFET with a TO-252 package. It has three pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. The Drain pin carries the load current, and the Source pin is connected to the source of the MOSFET's internal transistor. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC028N06NSTATMA1. It is a German semiconductor company specializing in power semiconductors, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The BSC028N06NSTATMA1 is a power MOSFET commonly used in various applications such as power supplies, motor controls, automotive systems, and industrial equipment. It is ideally suited for high current applications due to its low on-resistance and high efficiency. -
Package
The BSC028N06NSTATMA1 chip is a power MOSFET with a TO-220 package type. It has a through-hole form and a size of TO-220-3-1.
Ficha de dados PDF
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