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NXP AFT27S010NT1

RF Mosfet 28 V 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: NXP

Parte do fabricante #: AFT27S010NT1

Ficha de dados: AFT27S010NT1 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: PLD-1.5W

Tipo de Produto: RF FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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AFT27S010NT1 Descrição geral

RF Mosfet 28 V 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity: N-Channel Technology: Si
Id - Continuous Drain Current: 90 mA Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 500 mV, 65 V
Rds On - Drain-Source Resistance: - Operating Frequency: 100 MHz to 3.6 GHz
Gain: 21.7 dB Output Power: 1.26 W
Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PLD-1.5W
Packaging: MouseReel Brand: NXP Semiconductors
Moisture Sensitive: Yes Number of Channels: 1 Channel
Product Type: RF MOSFET Transistors Series: AFT27S010N
Factory Pack Quantity: 1000 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: LDMOS FET Type: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage: 10 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V
Part # Aliases: 935317972515

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The AFT27S010NT1 chip is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in RF power amplifier applications. It offers high efficiency, reliability, and ruggedness, making it suitable for various wireless communication systems. This chip is capable of delivering high output power levels with low distortion, making it a popular choice for RF power amplification needs.
  • Equivalent

    Equivalent products of AFT27S010NT1 chip include NXP BLF245, Infineon BLF645, STMicroelectronics SD2932, Toshiba MGFC39V6175, and Cree CGHV40150. These products are all RF power transistors used in various high-power applications.
  • Features

    - 1GB PC4-2400T-R DDR4 SDRAM - 16GB Built-in Flash - 10KHz to 7GHz Frequency Range - 10-bit Resolution - 288MSamples of Internal Acquisition Memory - 90dB SFDR These are some of the main features of AFT27S010NT1.
  • Pinout

    The AFT27S010NT1 is a GaAs RF power transistor with a pin count of 4. Pin functions are RF input, ground, RF output, and bias. This transistor is commonly used in high-power amplifier applications for wireless communication systems.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the AFT27S010NT1 is Freescale Semiconductor Inc., which is a multinational semiconductor manufacturer that focuses on creating embedded processors and analog and sensors products for automotive, industrial, consumer, and networking markets.
  • Application Field

    The AFT27S010NT1 is commonly used in RF power amplifiers for wireless infrastructure applications, such as base stations, repeaters, and small cell systems. It is also found in high-power industrial, scientific, and medical (ISM) equipment that require a compact and efficient RF power amplifier solution.
  • Package

    The AFT27S010NT1 chip comes in a surface mount package type, specifically a SOIC (Small Outline Integrated Circuit) form. It has a size of 4.90mm x 3.91mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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