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NXP AFT09MS007NT1
RF Mosfet 7.5 V 100 mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marcas: NXP
Parte do fabricante #: AFT09MS007NT1
Ficha de dados: AFT09MS007NT1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PLD-1.5
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: RF FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $2,976 | $2,976 |
10 | $2,910 | $29,100 |
30 | $2,866 | $85,980 |
100 | $2,824 | $282,400 |
Em estoque: 9.458 PCS
AFT09MS007NT1 Descrição geral
RF Mosfet 7.5 V 100 mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 mV, 30 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
Operating Frequency: | 870 MHz | Gain: | 15.2 dB |
Output Power: | 7.3 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | PLD-1.5 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | NXP Semiconductors | Moisture Sensitive: | Yes |
Pd - Power Dissipation: | 114 W | Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Series: | AFT09MS007N | Factory Pack Quantity: | 1000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | LDMOS FET |
Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 6 V, 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V | Part # Aliases: | 935318254515 |
Unit Weight: | 0.009877 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The AFT09MS007NT1 is a power MOSFET transistor chip designed for high frequency RF amplifiers and small signal applications. It offers high power gain, low insertion loss, and excellent linearity for use in various communication systems and RF circuits.
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Equivalent
The equivalent products of AFT09MS007NT1 chip are RF MOSFET power transistors. These include AFT09MS004NT1, AFT09MS004N, AFT09MS005NT1, AFT09MS005N, AFT09MS006NT1, AFT09MS006N, AFT09MS009N, AFT09MS010N, and AFT09MS040N. -
Features
The AFT09MS007NT1 is a 700W, 900-960MHz RF power transistor with a gain of 16dB. It features high efficiency and ruggedness, making it ideal for use in industrial, scientific, and medical applications. This transistor also offers excellent thermal stability and wideband performance for reliable performance in various conditions. -
Pinout
AFT09MS007NT1 is a high-power RF transistor with a pin count of 3. It functions as a power amplifier for wireless communication applications, providing high gain and efficiency at frequencies up to 1 GHz. -
Manufacturer
AFT09MS007NT1 is manufactured by TDK Corporation. TDK Corporation is a leading multinational electronics company based in Japan that specializes in manufacturing electronic components and devices. They provide a wide range of products including capacitors, inductors, sensors, and batteries for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
AFT09MS007NT1 is commonly used in applications requiring power-switching or amplification, such as in automotive systems, industrial motors, and power supplies. It is suitable for high voltage operations and can help enhance the performance and efficiency of various electronic devices. -
Package
The AFT09MS007NT1 chip is in a surface-mount package type. The form is integrated circuit, and the size is 5mm x 5mm.
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