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ON 2SC4135T-E

Name: 2SC4135T-E
Rating: 4.5 (10 reviews)

(-)100V (-)2A Bipolar Transistor designed for efficient high-voltage switching applications with low VCE(sat)

Marcas: Onsemi

Parte do fabricante #: 2SC4135T-E

Ficha de dados: 2SC4135T-E Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: IPAK

Status RoHS:

Condição de estoque: 3.314 peças, novo original

Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade	Preço unitário	Preço Externo
1	$0,397	$0,397
200	$0,153	$30,600
500	$0,148	$74,000
1000	$0,146	$146,000

Em estoque: 3.314 PCS

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Observação

2SC4135T-E Descrição geral

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 120MHz 1 W Through Hole TP

Características

Adoption of FBET, MBIT processes
High breakdown voltage and large current capacity
Fast switching speed
Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact

Aplicativo

Power supplies, relay derivers, lamp drivers

Especificações

Parâmetro	Valor	Parâmetro	Valor
Status	Last Shipments	Compliance	PbAHP
Package Type	IPAK / TP	Case Outline	369AJ
MSL Type	NA	MSL Temp (°C)	0
Container Type	BLKBG	Container Qty.	500
ON Target	N	Polarity	NPN
Type	Low VCE(sat)	VCE(sat) Max (V)	0.4
IC Cont. (A)	2	VCEO Min (V)	100
VCBO (V)	120	VEBO (V)	6
VBE(sat) (V)	0.85	hFE Min	200
hFE Max	400	PTM Max (W)	1
Pricing ($/Unit)	Price N/A

Envio

	Taxa de envio	Tempo de espera
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento		Taxa de mão
	Transferência bancária	cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
	PayPal	cobrar taxa de serviço de 4,0%.
	Cartão de crédito	cobrar taxa de serviço de 3,5%.
	Western Union	charge US.00 banking fee.
	Grama de dinheiro	cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

Etapa1 :produtos
Etapa2 :Embalagem a vácuo
Etapa3 :Saco antiestático
Etapa4 :Embalagem individual
Etapa5 :Caixas de embalagem
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

Part points

The 2SC4135T-E chip is a high-power, high-frequency transistor developed by Toshiba. It is used in a range of applications, including audio amplifiers, RF power amplifiers, and industrial equipment. The chip offers excellent performance and reliability, making it a popular choice for professionals in various industries.
Equivalent

There are no direct equivalent products for the 2SC4135T-E chip. However, alternatives that may be used instead include the 2SC4135 transistor or other similar high-speed switching transistors like the 2SC4137 or 2SC4136, depending on the specific application requirements.
Features

The 2SC4135T-E is a silicon NPN triple diffusion mesa type transistor. It features high breakdown voltage, low saturation voltage, and high-speed switching. Its compact size and high reliability make it suitable for applications in various electronic devices.
Pinout

The 2SC4135T-E is a 3-pin NPN transistor with a collector current of 1.5A and a collector-emitter voltage of 120V. The pins are labeled as follows: Pin 1: Emitter, Pin 2: Base, Pin 3: Collector.
Manufacturer

The manufacturer of the 2SC4135T-E is Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation. Toshiba is a multinational conglomerate company that operates in various industries, including electronic devices, semiconductors, and storage products. They specialize in the development and manufacturing of a wide range of consumer electronics and industrial products.
Application Field

The 2SC4135T-E is a high-frequency transistor commonly used in applications such as low noise amplifiers, oscillators, and RF power amplifiers. Its high gain, low noise figure, and suitable power handling capabilities make it well-suited for use in wireless communication systems, radar systems, and other high-frequency electronic devices.
Package

The 2SC4135T-E chip is a surface-mount transistor package type with a TO-252(DPAK) form factor and a size of approximately 6.5mm x 6.1mm x 2.27mm.

2SC4027S-TL-E

Onsemi

2SC5964-TD-E

Onsemi

2SC5707-E

ON Semiconductor, LLC

2SD1815S-TL-E

Onsemi

2SA2125-TD-E

Onsemi

2SA2016-TD-E

Onsemi

2SC6097-TL-E

ON Semiconductor, LLC

2SC3648S-TD-E

ON Semiconductor, LLC

ISPPAC-POWR1220AT8-01TN100I

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar 2SC4135T-E PDF Download

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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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