ON MJE350G
This transistor has a power dissipation of 20000mW, making it suitable for high-power applications
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: MJE350G
Ficha de dados: MJE350G Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-225-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 3184 peças, novo original
Tipo de Produto: Transistores
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
5 | $0,276 | $1,380 |
50 | $0,225 | $11,250 |
150 | $0,202 | $30,300 |
500 | $0,166 | $83,000 |
2500 | $0,155 | $387,500 |
5000 | $0,147 | $735,000 |
In Stock:3184 PCS
MJE350G Descrição geral
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in line-operated applications such as low power, line-operated series pass and switching regulators requiring PNP capability.
Características
- High Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 300 Vdc @ IC = 1.0 mAdc
- Excellent DC Current Gain - hFE = 30-240 @ IC = 50 mAdc
- Pb-Free Package is Available
Aplicativo
ONSEMIEspecificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | TO-225-3 | Case Outline | 77-09 |
MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
Container Type | BLKBX | Container Qty. | 500 |
ON Target | Y | Polarity | PNP |
Type | General Purpose | IC Cont. (A) | 0.5 |
VCEO Min (V) | 300 | VEBO (V) | 3 |
hFE Min | 30 | hFE Max | 240 |
PTM Max (W) | 20 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
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Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MJE350G is a bipolar junction transistor (BJT) chip commonly used in electronic devices. It is designed for high-speed switching applications and can handle relatively high voltage and current levels. With its compact size and efficient performance, the MJE350G chip is widely used in a variety of electronic circuits and systems.
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Equivalent
Some equivalent products to the MJE350G chip include MJE350, MJE3055T, 2N3055, TIP3055, NTE235, and BC550. -
Features
The MJE350G is a transistor with the following features: - NPN bipolar junction transistor - High current capacity (2A) - Low saturation voltage (0.5V) - High voltage rating (300V) - Suitable for high-speed switching applications, motor control, and power amplification. Note: My response is based on general information about the MJE350G transistor. For more detailed or specific features, please refer to the manufacturer's datasheet. -
Pinout
The MJE350G transistor has a pin count of 3. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is the emitter, Pin 2 is the base, and Pin 3 is the collector. -
Manufacturer
The manufacturer of the MJE350G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor manufacturer specializing in power management, sensor, logic, discrete, and custom devices. -
Application Field
The MJE350G is a high-voltage, high-power transistor commonly used in various electronic applications, such as audio amplifiers, voltage regulators, power supplies, motor control circuits, and industrial equipment. It is suitable for applications that require high voltage and current capabilities. -
Package
The MJE350G chip is in a TO-220AB package type. The chip is in a transistor form and has a size of 10.16mm x 4.60mm x 9.40mm.
Ficha de dados PDF
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