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Pedidos acima de
$5000ON 2SA2016-TD-E
PNP Bipolar Junction Transistors capable of handling 7A current and 50V voltage
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: 2SA2016-TD-E
Ficha de dados: 2SA2016-TD-E Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOT-89
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.960 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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2SA2016-TD-E Descrição geral
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 330MHz 3.5 W Surface Mount PCP
Características
- Adoption of FBET and MBIT processes
- Large current capacity
- Low collector-to-emitter saturation voltage
- High-speed switching
- Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products
- High allowable power dissipation
Aplicativo
- Relay drivers, Lamp drivers, Motor drivers, Flash
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-89 / PCP-1 | Case Outline | 419AU |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 1000 |
| ON Target | Y | Polarity | PNP |
| Type | Low VCE(sat) | VCE(sat) Max (V) | 0.39 |
| IC Cont. (A) | 7 | VCEO Min (V) | 50 |
| VCBO (V) | 100 | VEBO (V) | 6 |
| VBE(sat) (V) | 0.83 | hFE Min | 200 |
| hFE Max | 560 | fT Min (MHz) | 290 |
| PTM Max (W) | 1.3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The 2SA2016-TD-E chip is an electronic component used in various applications. It is a PNP silicon transistor with a maximum collector current of 100 mA and a maximum power dissipation of 500 mW. The chip offers high frequency performance, low noise, and low distortion characteristics, making it suitable for use in audio and general-purpose amplifiers.
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Features
The features of 2SA2016-TD-E include a low VCE(sat) of 0.2V, a high hFE of 2000, a collector current (IC) of 0.05A, and a power dissipation (PD) of 0.15W. It is a small signal PNP bipolar transistor commonly used in low voltage amplifier applications. -
Pinout
The 2SA2016-TD-E is a bipolar transistor. It has a pin count of 3 and the function of each pin is as follows: 1. Collector (C) 2. Base (B) 3. Emitter (E) It is commonly used in audio amplifier applications and other electronic circuits requiring high current gain and low noise performance. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2SA2016-TD-E is Toshiba. Toshiba is a multinational conglomerate company that specializes in various products and services, including electronics, semiconductors, and power systems. -
Application Field
The 2SA2016-TD-E is a general-purpose NPN bipolar junction transistor that can be used in a wide range of circuits and applications. Some common application areas include audio amplifiers, switching circuits, voltage regulators, and general-purpose amplification where low noise and high current capability are required. -
Package
The package type of the 2SA2016-TD-E chip is a TO-252G (DPAK) package. It has a form of SMD (Surface Mount Device) and a size of 6.86mm x 6.86mm x 2.4mm.
Ficha de dados PDF
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