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Pedidos acima de
$5000UF3C065030B3
Silicon-carbide based power transistor for high-performance system
Marcas: QORVO
Parte do fabricante #: UF3C065030B3
Ficha de dados: UF3C065030B3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: D2PAK-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.485 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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UF3C065030B3 Descrição geral
Furthermore, the UF3C065030B3 excels in thermal management, owing to its state-of-the-art packaging design featuring a high thermal conductivity substrate and low thermal resistance between the transistors and the heatsink. This design enables reliable operation at high temperatures and power levels, offering peace of mind in demanding operating conditions. In addition, the module incorporates advanced protection features against overcurrent and overtemperature scenarios, guaranteeing safe and secure operation. Its fast and robust intrinsic diode enables efficient freewheeling during reverse current flow, further enhancing its reliability and performance
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | - | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 40A, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V | Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 242W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The UF3C065030B3 is a silicon carbide (SiC) MOSFET chip designed for high power and high temperature applications. It offers low losses, high efficiency, and fast switching capabilities. This chip is suitable for use in power electronic systems, such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial machinery.
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Equivalent
The equivalent products of UF3C065030B3 chip are the STFSC10H65B3, STFSC10H65B3Y, and STFSC10H65B3Y3 chips. These chips are also high voltage SiC technologies that offer similar performance and features as the UF3C065030B3 chip. -
Features
1. 650V Silicon Carbide Power MOSFET 2. 30mΩ on-resistance 3. FAST diode recovery 4. High-speed switching 5. Low gate charge 6. High thermal conductivity 7. Low capacitance 8. Enhanced ruggedness 9. Reduction in overall system cost and size 10. Ideal for high-frequency, high-power applications. -
Pinout
The UF3C065030B3 is a 3-pin device with two power pins and one gate pin. Pin 1 is the source, pin 2 is the gate, and pin 3 is the drain. It is a 650V, 3A SiC FET designed for high efficiency power conversion applications. -
Manufacturer
UnitedSiC is the manufacturer of the UF3C065030B3. It is a semiconductor company that specializes in the design and manufacturing of silicon carbide power semiconductors. UnitedSiC focuses on delivering high performance and efficient solutions for power electronics applications in industries such as automotive, industrial, and renewable energy. -
Application Field
The UF3C065030B3 is primarily used in power supply applications, motor drives, renewable energy systems, and industrial automation. Its high voltage and current capabilities make it suitable for high-power applications where efficiency and reliability are crucial. It is commonly used in inverters, converters, and power management systems in various industries. -
Package
The UF3C065030B3 chip comes in a TO-247 package type. It is in the form of a discrete semiconductor device and has a size of 10.66mm x 5.59mm x 4.57mm.
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