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SCT2H12NZGC11 48HRS

17V operating voltage meets diverse project needs

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Rohm Semiconductor

Parte do fabricante #: SCT2H12NZGC11

Ficha de dados: SCT2H12NZGC11 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-3PFM-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 6.921 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $3,725 $3,725
10 $3,555 $35,550
30 $3,454 $103,620
100 $3,352 $335,200
500 $3,305 $1652,500
1000 $3,284 $3284,000

Em estoque: 6.921 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para SCT2H12NZGC11 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

SCT2H12NZGC11 Descrição geral

The SCT2H12NZGC11 is a high-performance 1700V 3.7A N-channel SiC power MOSFET designed by ROHM Semiconductor. This Silicon Carbide MOSFET offers superior efficiency and reliability, making it ideal for various power electronics applications. To facilitate the evaluation and testing of the SCT2H12NZGC11, ROHM offers the BD7682FJ-LB-EVK-402 Evaluation Board. This evaluation board features the BD7682FJ-LB AC/DC Converter IC and is designed to accept an input voltage range of AC 400-690V, producing a stable 24V DC output. The board comes with comprehensive documentation, including an Application Note, Presentation Document, and Quick Start Guide to help users get started quickly and efficiently. Additionally, the Evaluation Board User Guide provides detailed instructions on how to properly set up and operate the evaluation board for accurate testing and performance assessment. For those interested in additional evaluation options, ROHM also offers the BD7682FJ-EVK-301 Evaluation Board, which supports input voltages of AC 210-480V and DC 300-900V, generating a 12V DC output. To learn more about these evaluation boards or to inquire about purchasing options, please reach out to our team for assistance

Características

  • Precision voltage regulation for stable operation
  • High-power dissipation for demanding loads
  • Limited current surge during turn-off

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-3PFM-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.7 kV Id - Continuous Drain Current 3.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.15 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 6 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.6 V Qg - Gate Charge 14 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 35 W Channel Mode Enhancement
Series SCT2x Brand ROHM Semiconductor
Configuration Single Fall Time 74 ns
Forward Transconductance - Min 0.4 s Product Power MOSFETs
Product Type MOSFET Rise Time 21 ns
Factory Pack Quantity 450 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type N-Channel SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 35 ns Typical Turn-On Delay Time 16 ns
Part # Aliases SCT2H12NZ

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The SCT2H12NZGC11 is a high-performance power management integrated circuit (PMIC) designed for use in automotive applications. It features multiple voltage regulators, supervision functions, and diagnostic capabilities to ensure reliable operation in harsh environments. This chip is manufactured by Infineon Technologies, a leading provider of semiconductor solutions for automotive and industrial applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of SCT2H12NZGC11 chip are X9SCT2H52NZGC11, SCT2H52NZGC11, and SCT2H102NZGC11. These chips have similar specifications and functionalities, providing customers with a range of options for their specific needs.
  • Features

    SCT2H12NZGC11 is a high voltage silicon carbide Schottky diode designed for use in high-power applications. It has a forward voltage of 1.7V, a maximum continuous forward current of 20A, and a reverse recovery time of 20ns. The diode operates at temperatures up to 175°C and is RoHS compliant.
  • Pinout

    The SCT2H12NZGC11 has a pin count of 11. It is a high-speed switching diode with a forward current of 2A and a reverse voltage of 20V. It is commonly used in applications such as RF and switching circuits.
  • Manufacturer

    SCT2H12NZGC11 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon specializes in producing power semiconductors, sensor systems, and microcontrollers for automotive, industrial, and renewable energy applications.
  • Application Field

    SCT2H12NZGC11 is commonly used in industrial automation, robotics, and automotive applications. Its compact size, high precision, and reliability make it suitable for applications requiring accurate position sensing, such as servo motors, encoders, and linear actuators.
  • Package

    The SCT2H12NZGC11 chip is a high-power, high-gain RF transistor in a ceramic package. It has a form factor of a flange-mount and measures 8.1 x 6.1 x 2.3 mm in size.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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