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RQ3G100GNTB
RQ3G100GNTB MOSFET N-channel 40V 10A HSMT-8
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: ROHM Semiconductor
Parte do fabricante #: RQ3G100GNTB
Ficha de dados: RQ3G100GNTB Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: HSMT-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.946 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $0,257 | $0,257 |
10 | $0,223 | $2,230 |
30 | $0,207 | $6,210 |
100 | $0,189 | $18,900 |
500 | $0,181 | $90,500 |
1000 | $0,176 | $176,000 |
Em estoque: 5.946 PCS
RQ3G100GNTB Descrição geral
The RQ3G100GNTB is a high-quality Power Field-Effect Transistor designed for precision performance in various electronic applications. With a current rating of 10A and a voltage rating of 40V, this transistor offers efficient power management with a low on-resistance of 0.0183ohm. The N-Channel design, combined with Silicon material and Metal-oxide Semiconductor technology, ensures reliable and stable operation. Furthermore, the transistor is HALOGEN FREE and ROHS COMPLIANT, making it environmentally friendly and safe for use in different industries. The HSMT8 package features 8 pins, providing easy installation and secure connections for enhanced functionality
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | HSMT-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Id - Continuous Drain Current | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
Qg - Gate Charge | 8.4 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Single | Fall Time | 3.2 ns |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 4.2 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 23.1 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Part # Aliases | RQ3G100GN |
Unit Weight | 0.196723 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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