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Pedidos acima de
$5000ST NAND08GW3B2CN6
Ideal for demanding applications requiring high density
Marcas: Numonyx Memory Solutions
Parte do fabricante #: NAND08GW3B2CN6
Ficha de dados: NAND08GW3B2CN6 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TSOP48
Tipo de Produto: Memória
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.375 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NAND08GW3B2CN6 Descrição geral
NAND08GW3B2CN6 is a type of NAND Flash memory chip manufactured by Micron Technology. Here are some of its features:
Características
- It has a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte) and uses a 3-bit per cell (TLC) architecture.
- It uses a NAND interface and operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V.
- It has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles and a retention time of up to 3 months at 85°C.
Aplicativo
- Consumer electronics such as smartphones, tablets, and portable media players.
- Solid-state drives (SSDs) used in desktops, laptops, and servers.
- Automotive applications such as infotainment systems and advanced driver-assistance systems (ADAS).
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | NAND08GW3B2CN6 | Rohs Code | No |
| Part Life Cycle Code | Transferred | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Part Package Code | TSOP | Package Description | TSOP1, |
| Pin Count | 48 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Access Time-Max | 35 ns | JESD-30 Code | R-PDSO-G48 |
| JESD-609 Code | e0 | Length | 18.4 mm |
| Memory Density | 8589934592 bit | Memory IC Type | FLASH |
| Memory Width | 8 | Number of Functions | 1 |
| Number of Terminals | 48 | Number of Words | 1073741824 words |
| Number of Words Code | 1000000000 | Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Operating Temperature-Max | 85 °C | Operating Temperature-Min | -40 °C |
| Organization | 1GX8 | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSOP1 | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Parallel/Serial | PARALLEL |
| Programming Voltage | 3 V | Qualification Status | Not Qualified |
| Seated Height-Max | 1.2 mm | Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3 V |
| Surface Mount | YES | Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL | Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Pitch | 0.5 mm |
| Terminal Position | DUAL |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
-
![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Peças Equivalentes
Para o NAND08GW3B2CN6 componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:
Número da peça
Marcas
Pacote
Descrição
Número da peça : MT29F8G08ABACAH4-ITD
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : H27UCG8T2ETR-BC
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : K9F8G08U0B-PIB0
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Part points
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The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory chip manufactured by Micron Technology. It offers 8 gigabytes of storage capacity and operates at high speeds for data storage and retrieval. This chip is commonly used in a variety of electronic devices such as smartphones, tablets, and solid-state drives.
-
Equivalent
Some equivalent products of NAND08GW3B2CN6 chip are Toshiba TC58NYG0S3EBAI4, Micron MT29F8G08ABABAWP, Samsung K9GAG08U0E, and Hynix H27UCG8T2MYR. These chips are all compatible with NAND08GW3B2CN6 in terms of functionality and specifications. -
Features
NAND08GW3B2CN6 is a 8Gb NAND flash memory IC that features a page size of 16KB, a block size of 256 pages, a program/erase cycle endurance of 3000 cycles, and a supply voltage range of 2.7V to 3.6V. It also has a x8 I/O interface, a sequential read speed of up to 70MB/s, and a 3.3V Vccq voltage for the core circuit. -
Pinout
The NAND08GW3B2CN6 is an 8-channel NAND gate with a maximum input voltage of 3.6V. It has a pin count of 14, with the following functions: Pin 1 and 14 - VCC, Pin 2 and 13 - Output 1, Pin 3 and 12 - Output 2, Pin 4 and 11 - NAND input 1, Pin 5 and 10 - NAND input 2, Pin 6 and 9 - Enable, Pin 7 and 8 - GND. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND08GW3B2CN6 is Micron Technology, Inc. Micron is a multinational corporation specializing in the development and production of computer memory and data storage solutions. They are one of the leading providers of NAND flash memory, DRAM modules, and solid-state drives used in a variety of electronic devices. -
Application Field
The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory device commonly used in a variety of applications such as smartphones, tablet PCs, digital cameras, and solid-state drives. It is suitable for data storage in consumer electronics and computing devices that require high-speed and reliable storage solutions. -
Package
The NAND08GW3B2CN6 chip is a 8GB NAND flash memory chip. It comes in a TSOP-48 package type and has a form factor of BGA.
Ficha de dados PDF
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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