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ST NAND01GW3B2BN6F

The NAND01GW3B2BN6F is a flash memory component that features 128 megabits organized in an 8-bit configuration and comes in a PDSO48 package."

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Micron Technology

Parte do fabricante #: NAND01GW3B2BN6F

Ficha de dados: NAND01GW3B2BN6F Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: TSOP

Tipo de Produto: Memória

Status RoHS:

Condição de estoque: 2.123 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

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NAND01GW3B2BN6F Descrição geral

The NAND01GW3B2BN6F is a NAND flash memory chip manufactured by a company such as Toshiba, Micron, or Samsung. It belongs to the NAND flash memory family, typically used in various electronic devices like smartphones, tablets, SSDs, and USB flash drives for data storage. This specific chip likely has a storage capacity of 1 gigabit (Gb), which translates to about 128 megabytes (MB) of data storage. The "01" in the part number suggests it's a first-generation product within its series. The "GW3B2" likely denotes certain technical specifications such as interface type, voltage, or speed grade. The "BN6F" might specify the package type and configuration.NAND flash memory chips are characterized by their ability to retain data even when powered off, making them ideal for mass data storage in portable devices. They operate on the principle of electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM), allowing for high-speed read and write operations. This particular chip, being a common component in electronic devices, adheres to industry standards for reliability, performance, and compatibility

nand01gw3b2bn6f

Características

  • NAND01GW3B2BN6F features include: 1Gb capacity, NAND flash memory, TSOP-48 package, 3
  • 3V voltage supply, and industrial temperature range
  • nand01gw3b2bn6f

    Aplicativo

  • The NAND01GW3B2BN6F is commonly used in a variety of electronic devices such as smartphones, tablets, solid-state drives, and digital cameras
  • Its high storage capacity and fast data transfer speeds make it ideal for storing large amounts of data in a compact and durable format
  • nand01gw3b2bn6f

    Especificações

    Parâmetro Valor Parâmetro Valor
    Product Category NAND Flash Package / Case TSOP
    Memory Size 1 Gbit Interface Type Parallel
    Organization 128 M x 8 Timing Type Asynchronous
    Data Bus Width 8 bit, 16 bit Supply Voltage - Min 2.7 V
    Supply Voltage - Max 3.6 V Supply Current - Max 20 mA
    Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 85 C
    Active Read Current - Max 20 mA Architecture Sectored
    Brand Micron Memory Type NAND
    Product NAND Flash Product Type NAND Flash
    Speed 25 ns Standard Not Supported
    Subcategory Memory & Data Storage

    Envio

    Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

    Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

    Pagamento

    Termos de pagamento Taxa de mão
    Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
    PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
    Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
    Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
    Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

    Garantias

    1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

    2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

    Embalagem

    • produtos

      Etapa1 :produtos

    • Embalagem a vácuo

      Etapa2 :Embalagem a vácuo

    • Saco antiestático

      Etapa3 :Saco antiestático

    • Embalagem individual

      Etapa4 :Embalagem individual

    • Caixas de embalagem

      Etapa5 :Caixas de embalagem

    • etiqueta de envio com código de barras

      Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

    Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

    Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

    Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

    Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

    • ESD
    • ESD

    Part points

    • The NAND01GW3B2BN6F chip is a NAND flash memory chip manufactured by Toshiba. It offers a storage capacity of 1 Gbit and supports a wide range of applications, including smartphones, tablets, and other electronic devices. The chip features fast read and write speeds, high reliability, and low power consumption.
    • Equivalent

      Equivalent products of NAND01GW3B2BN6F chip are NAND01GW3B2BN6F, NAND02GW3B2AN6F, and NAND04GW3B2AN6F. These chips are all NAND Flash memory devices from the same manufacturer, Micron Technology.
    • Features

      NAND01GW3B2BN6F is a 1Gbit (128MB) SLC NAND flash memory from Micron with a voltage range of 1.7-1.95V, operating temperature range of -40°C to 85°C, and support for small page size operations. It has a NAND interface, ESD protection, and advanced memory management capabilities.
    • Pinout

      The NAND01GW3B2BN6F is a 8-pin NAND Flash memory chip with a capacity of 1 Gbit (128MB). Pin functions are: pin 1 (A0) for address input, pin 2 (A1) for address input, pin 3 (WE#) for Write Enable input, pin 4 (CLE) for Command Latch Enable input, pin 5 (ALE) for Address Latch Enable input, pin 6 (CE#) for Chip Enable input, pin 7 (CLE) for Command Latch Enable input, and pin 8 (Vcc) for power supply.
    • Manufacturer

      The manufacturer of the NAND01GW3B2BN6F is Micron Technology, Inc. They are a multinational corporation specializing in computer memory and data storage technology. Micron is one of the largest memory chip manufacturers in the world, providing solutions for a variety of industries such as consumer electronics, automotive, and enterprise data centers.
    • Application Field

      The NAND01GW3B2BN6F is commonly used in applications that require high-density storage solutions, such as SSDs, digital cameras, gaming consoles, and mobile devices. It is also used in industrial applications, telecommunications, automotive, and IoT devices. Its high performance, reliability, and low power consumption make it ideal for a wide range of applications.
    • Package

      The NAND01GW3B2BN6F chip is in a BGA package type, with a form factor of FBGA-63, and a size of 9.5mm x 12.5mm.

    Ficha de dados PDF

    Especificação Preliminar NAND01GW3B2BN6F PDF Download

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