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Pedidos acima de
$5000ST NAND01GW3B2BN6E
High-speed 1G-bit NAND Flash with 128M x 8 configuration for 3V/3.3V operations in TSOP Tray
Marcas: STMicroelectronics, Inc
Parte do fabricante #: NAND01GW3B2BN6E
Ficha de dados: NAND01GW3B2BN6E Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TSOP-48
Tipo de Produto: Memória
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.176 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NAND01GW3B2BN6E Descrição geral
The NAND01GW3B2BN6E is not only powerful and reliable but also durable. Micron Technology has crafted a NAND flash memory chip that can withstand the rigors of constant use, making it an ideal choice for industrial and commercial applications. Its 3V power supply ensures efficient energy usage, while its high-speed data transfer capabilities make it a valuable asset in any system requiring quick access to information. Trust Micron Technology to deliver cutting-edge technology with the NAND01GW3B2BN6E, a chip that exceeds expectations in performance and longevity
Características
- It is a 1Gb (gigabit) NAND flash memory chip.
- It uses a 3.3V power supply.
- It has a x8 I/O interface.
- It has a page size of 2048 bytes and a block size of 128 pages.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Case/Package | TSOP | Mount | Surface Mount |
| Number of Pins | 48 | Access Time | 25 µs |
| Address Bus Width | 8 b | Density | 1 Gb |
| Interface | Parallel | Max Operating Temperature | 85 °C |
| Max Supply Voltage | 3.6 V | Memory Size | 128 MB |
| Memory Type | FLASH, NAND | Min Operating Temperature | 0 °C |
| Min Supply Voltage | 2.7 V | Nominal Supply Current | 30 mA |
| Sync/Async | Asynchronous | Termination | SMD/SMT |
| Word Size | 8 b |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The NAND01GW3B2BN6E is a NAND flash memory chip commonly used in electronic devices for data storage. It has a capacity of 1GB and a maximum data transfer rate of 50MB/s. The chip is often found in smartphones, tablets, digital cameras, and other consumer electronics.
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Equivalent
The equivalent products of NAND01GW3B2BN6E chip are NAND02GW3B2BN6E, NAND04GW3B2BN6E, NAND08GW3B2BN6E, NAND16GW3B2BN6E, NAND32GW3B2BN6E, and NAND64GW3B2BN6E. These chips have similar specifications and functionalities, making them suitable replacements for NAND01GW3B2BN6E in various applications. -
Features
NAND01GW3B2BN6E is a 1Gb SLC NAND flash memory device with a parallel interface. It offers high reliability, endurance, and fast read and write speeds for applications requiring high-performance data storage. The device is ideal for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications. -
Pinout
The NAND01GW3B2BN6E is a 8-pin NAND flash memory IC. It features a standard pin configuration with functions such as chip enable (CE), write enable (WE), output enable (OE), and data input/output (I/O). This IC is commonly used for data storage applications in various electronic devices. -
Manufacturer
The NAND01GW3B2BN6E is manufactured by Micron Technology, Inc., an American multinational corporation specializing in computer memory and data storage. Micron is one of the leading manufacturers of NAND flash memory products used in various electronic devices such as smartphones, solid-state drives, and digital cameras. -
Application Field
The NAND01GW3B2BN6E is commonly used in applications such as solid-state drives (SSDs), USB flash drives, memory cards, and other storage devices. Its high capacity, fast read/write speeds, and reliable performance make it ideal for storing large amounts of data in a compact and durable package. -
Package
The NAND01GW3B2BN6E chip is in a TSOP-48 package, with a BGA form factor, and a size of 1Gbit.
Ficha de dados PDF
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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