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Pedidos acima de
$5000Microchip LND150N3
With a 500V voltage rating and a 1KOhm resistance, the LND150N3 MOSFET is suitable for various electronic applications
Marcas: Microchip
Parte do fabricante #: LND150N3
Ficha de dados: LND150N3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-92-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.570 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Características
ESD gate protection
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and low CISS
Aplicativo
Solid state relays
Normally-on switches
Converters
Power supply circuits
Constant current sources
Input protection circuits
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Microchip | Product Category | MOSFET |
| RoHS | N | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-92-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 30 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1 kOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 740 mW | Channel Mode | Depletion |
| Brand | Microchip Technology | Configuration | Single |
| Fall Time | 450 ns | Height | 5.33 mm |
| Length | 5.21 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 450 ns |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns | Typical Turn-On Delay Time | 90 ns |
| Width | 4.19 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The LND150N3 is a high-performance N-Channel MOSFET chip designed for power management and switching applications. It offers low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for use in a wide range of electronic devices and systems. With a high voltage and current rating, the LND150N3 chip is suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of LND150N3 chip are LND150, LND150N, NTE2388, and NTE458. These chips are all N-channel depletion mode FETs with similar specifications and characteristics, making them suitable replacements for each other in various applications. -
Features
The LND150N3 is a N-Channel depletion mode high voltage transistor. It has a maximum gate-source voltage of -60V, drain-source voltage of -400V, and a continuous drain current of -0.5A. It is specifically designed for use in high voltage, high speed, inverter, and high frequency applications. -
Pinout
The LND150N3 is a N-channel MOSFET with a TO-92 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is commonly used for low-power switching and amplification applications. Pin count: 3 Function: N-channel MOSFET for low-power switching and amplification applications -
Manufacturer
The LND150N3 is manufactured by STMicroelectronics, which is a multinational semiconductor and electronics company. STMicroelectronics produces a wide range of products including integrated circuits, microcontrollers, sensors, and power management components for a variety of industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The LND150N3 is commonly used in audio amplifiers, high-speed switching, and linear applications. It is also used in power management, motor control, automotive, and industrial applications due to its high current capability, low on-resistance, and fast switching speed. -
Package
The LND150N3 chip is provided in a TO-18 package. It is available in a through-hole form with a size of 5.21mm x 4.57mm x 4.57mm.
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