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Microchip DN3525N8-G

Tape and Reel Packaged Silicon N-channel Transistor with 250V Voltage Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Microchip

Parte do fabricante #: DN3525N8-G

Ficha de dados: DN3525N8-G Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: SOT-89-3

Tipo de Produto: Transistores

Status RoHS:

Condição de estoque: 3474 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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DN3525N8-G Descrição geral

DN3525 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

dn3525n8-g

Características

    • High input impedance
    • Low input capacitance
    • Fast switching speeds
    • Low on-resistance
    • Free from secondary breakdown
    • Low input and output leakage
Microchip Inventory

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-89-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V
Id - Continuous Drain Current 360 mA Rds On - Drain-Source Resistance 6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 1.6 W Channel Mode Depletion
Brand Microchip Technology Configuration Single
Fall Time 40 ns Height 1.6 mm
Length 4.6 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 25 ns
Factory Pack Quantity 2000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type FET
Width 2.6 mm

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The DN3525N8-G chip is an integrated circuit used for power management in electronic devices. It is designed to control and regulate voltage levels, providing efficient power distribution and protection. With its compact size and advanced features, the DN3525N8-G chip offers reliable performance and flexibility, making it suitable for a wide range of applications, such as smartphones, tablets, and portable devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of DN3525N8-G chip include DN3525AL-G, DN3525AN8, and DN3525H8-G.
  • Features

    The DN3525N8-G is a power MOSFET with a drain-source voltage rating of 25V. It operates with a low on-resistance of 5.8mΩ. The MOSFET has a compact QFN package, making it suitable for space-constrained applications.
  • Pinout

    The DN3525N8-G is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with 8 pins. The specific pin functions may vary depending on the manufacturer, so it is recommended to consult the datasheet provided by the manufacturer for accurate information.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the DN3525N8-G is a company called Diodes Incorporated. It is a semiconductor company that designs, manufactures, and supplies application-specific standard products within the broad discrete, logic, and mixed-signal semiconductor markets.
  • Application Field

    The DN3525N8-G is a high-performance N-channel MOSFET transistor. It can be used in various applications such as power management, switch-mode power supplies, motor control, audio amplifiers, and LED lighting.
  • Package

    The package type of the DN3525N8-G chip is DPAK, the form is Surface Mount, and the size is 6.7mm x 6.7mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar DN3525N8-G PDF Download

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  • garantia

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