Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Microchip DN3135K1-G 48HRS

The DN3135K1-G MOSFET is a high-voltage, low-current device suitable for switching circuits in power supplies and other electronic systems

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Microchip

Parte do fabricante #: DN3135K1-G

Ficha de dados: DN3135K1-G Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: SOT-23-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 3019 peças, novo original

Tipo de Produto: Transistores

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $0,391 $0,391
10 $0,318 $3,180
30 $0,286 $8,580
100 $0,248 $24,800
500 $0,231 $115,500
1000 $0,220 $220,000

In Stock:3019 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para DN3135K1-G ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

DN3135K1-G Descrição geral

MOSFET, N CH, 350V, 0.072A, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 72mA; Drain Source Voltage Vds: 350V; On Resistance Rds(on): 35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 360mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

dn3135k1-g

Características

    • High input impedance
    • Low input capacitance
    • Fast switching speeds
    • Low on-resistance
    • Free from secondary breakdown
    • Low input and output leakage
dn3135k1-g
dn3135k1-g

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 350 V
Id - Continuous Drain Current 72 mA Rds On - Drain-Source Resistance 35 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 360 mW Channel Mode Depletion
Brand Microchip Technology Configuration Single
Fall Time 20 ns Forward Transconductance - Min 140 mS
Height 0.95 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Rise Time 15 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type FET Typical Turn-Off Delay Time 15 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns Width 1.3 mm
Unit Weight 0.000282 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The DN3135K1-G chip is a semiconductor component designed for power management applications. It integrates various circuitry and functions to regulate and control voltage levels within electronic devices efficiently. The chip operates at high frequency and provides protection features for enhanced reliability. With its compact and versatile design, the DN3135K1-G chip is widely used in a range of electronic devices for efficient power management.
  • Features

    DN3135K1-G is a thyristor module that features a high voltage capability of up to 1600V, high blocking voltage, high surge capabilities, and low power losses. It is designed to provide efficient power conversion and control in various applications, including motor control, industrial drives, and power supplies.
  • Pinout

    The DN3135K1-G is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3, and the functions of these pins are to control the flow of current between the Drain and Source terminals by applying voltage to the Gate terminal.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the DN3135K1-G is a company called Texas Instruments. It is a leading semiconductor and electronics component manufacturer, specializing in various products including integrated circuits, microcontrollers, processors, and other digital and analog devices.
  • Application Field

    The DN3135K1-G is a high voltage, high-side power switch specifically designed for automotive applications. It is commonly used in automotive safety applications such as airbag control modules, seatbelt pre-tensioners, and crash sensors. Its compact size, robust design, and high voltage capability make it suitable for various automotive safety systems.
  • Package

    The DN3135K1-G chip is packaged in a SOT-23 package type. It is in a small form factor with dimensions of approximately 3.0mm x 1.3mm x 1.1mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar DN3135K1-G PDF Download

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • TN2524N8-G

    TN2524N8-G

    Microchip

    TN2524N8-G is a N-type MOSFET designed to handle u...

  • APT5010LVRG

    APT5010LVRG

    Microchip Technology, Inc

    Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tub...

  • 2N7334

    2N7334

    Microchip

    Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB

  • VN3205N6

    VN3205N6

    Microchip

    MOSFET 50V 0.3Ohm

  • 2N6802

    2N6802

    Microchip

    Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Pack...

  • TP2502N8-G

    TP2502N8-G

    Microchip

    TP2502N8-G, a P-channel MOSFET transistor, boasts ...