Microchip DN3135K1-G
The DN3135K1-G MOSFET is a high-voltage, low-current device suitable for switching circuits in power supplies and other electronic systems
Marcas: Microchip
Parte do fabricante #: DN3135K1-G
Ficha de dados: DN3135K1-G Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 3019 peças, novo original
Tipo de Produto: Transistores
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $0,391 | $0,391 |
10 | $0,318 | $3,180 |
30 | $0,286 | $8,580 |
100 | $0,248 | $24,800 |
500 | $0,231 | $115,500 |
1000 | $0,220 | $220,000 |
In Stock:3019 PCS
DN3135K1-G Descrição geral
MOSFET, N CH, 350V, 0.072A, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 72mA; Drain Source Voltage Vds: 350V; On Resistance Rds(on): 35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 360mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Características
- High input impedance
- Low input capacitance
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 350 V |
Id - Continuous Drain Current | 72 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 35 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 360 mW | Channel Mode | Depletion |
Brand | Microchip Technology | Configuration | Single |
Fall Time | 20 ns | Forward Transconductance - Min | 140 mS |
Height | 0.95 mm | Length | 2.9 mm |
Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 15 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | FET | Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 1.3 mm |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The DN3135K1-G chip is a semiconductor component designed for power management applications. It integrates various circuitry and functions to regulate and control voltage levels within electronic devices efficiently. The chip operates at high frequency and provides protection features for enhanced reliability. With its compact and versatile design, the DN3135K1-G chip is widely used in a range of electronic devices for efficient power management.
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Features
DN3135K1-G is a thyristor module that features a high voltage capability of up to 1600V, high blocking voltage, high surge capabilities, and low power losses. It is designed to provide efficient power conversion and control in various applications, including motor control, industrial drives, and power supplies. -
Pinout
The DN3135K1-G is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3, and the functions of these pins are to control the flow of current between the Drain and Source terminals by applying voltage to the Gate terminal. -
Manufacturer
The manufacturer of the DN3135K1-G is a company called Texas Instruments. It is a leading semiconductor and electronics component manufacturer, specializing in various products including integrated circuits, microcontrollers, processors, and other digital and analog devices. -
Application Field
The DN3135K1-G is a high voltage, high-side power switch specifically designed for automotive applications. It is commonly used in automotive safety applications such as airbag control modules, seatbelt pre-tensioners, and crash sensors. Its compact size, robust design, and high voltage capability make it suitable for various automotive safety systems. -
Package
The DN3135K1-G chip is packaged in a SOT-23 package type. It is in a small form factor with dimensions of approximately 3.0mm x 1.3mm x 1.1mm.
Ficha de dados PDF
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