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Pedidos acima de
$5000Microchip LND01K1-G
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
Marcas: Microchip
Parte do fabricante #: LND01K1-G
Ficha de dados: LND01K1-G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-5
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.342 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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LND01K1-G Descrição geral
The LND01 is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.The body of the transistor is connected to the gate pin. The channel is therefore being pinched off by both the gate and body. The gate pin will have a diode connected to the drain terminal and another diode connected to the source terminal.
Características
- Bi-directional
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speeds
- High input impedance and high gain
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Microchip | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-23-5 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 9 V | Id - Continuous Drain Current | 330 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 600 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | - |
| Minimum Operating Temperature | - 25 C | Maximum Operating Temperature | + 125 C |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW | Channel Mode | Depletion |
| Series | LND01 | Brand | Microchip Technology |
| Configuration | Single | Fall Time | 6.4 ns |
| Forward Transconductance - Min | 200 mmho | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 11 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 1 ns | Typical Turn-On Delay Time | 3.8 ns |
| Unit Weight | 0.000529 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
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