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$5000IXYN30N170CV1
XPT IGBT with 30A current rating and 1700V voltage capacity in SOT227 package
Marcas: Ixys
Parte do fabricante #: IXYN30N170CV1
Ficha de dados: IXYN30N170CV1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227B
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.494 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXYN30N170CV1 Descrição geral
When it comes to high-power IGBT modules, the IXYN30N170CV1 from IXYS Corporation stands out from the crowd. With a voltage rating of 1700V and a current rating of 30A, this module is the perfect solution for high-power applications such as motor control, power converters, and renewable energy systems. Its efficient switching performance and low on-state power dissipation ensure reliable operation in demanding environments. The module's compact and rugged design, complete with integrated thermal protection, makes installation a breeze and guarantees long-term reliability. Furthermore, the IXYN30N170CV1 features low conduction and switching losses, resulting in improved energy efficiency and reduced heat generation during operation. This module is the go-to choice for industrial and commercial applications that demand high-power switching capabilities. And with its RoHS compliance and adherence to industry standards for quality and performance, you can trust that the IXYN30N170CV1 will deliver exceptional performance every time
Características
- Robust construction and durable materials
- High accuracy and precision
- Low thermal drift
- Fully shielded against electromagnetic interference
- Operating frequency: up to 1 GHz
- RoHS compliant
Aplicativo
- Variable frequency drives
- Energy-efficient lighting
- Electric vehicle chargers
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.7 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 3.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 88 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Pd - Power Dissipation | 680 W | Package / Case | SOT-227B |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Brand | IXYS | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
| Series | High Voltage | Factory Pack Quantity | 10 |
| Subcategory | IGBTs | Technology | Si |
| Tradename | XPT |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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IXYN30N170CV1 is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for various power electronics applications. It features a voltage rating of 1700V and a current rating of 30A, making it suitable for high-power operation. The chip is known for its high efficiency, low switching losses, and rugged construction, making it a preferred choice for industrial and renewable energy applications.
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Equivalent
The equivalent products of IXYN30N170CV1 chip are IXFN65N50P and IXTK90N25L2. -
Features
IXYN30N170CV1 is a N-Channel enhancement mode Power MOSFET. It has a low on-resistance, high current capability, and gate charge. It also has a fast switching speed, high avalanche capability, and is suitable for high power applications. -
Pinout
The IXYN30N170CV1 is a high-speed, low-loss IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are gate, collector, emitter, collector-emitter monitoring, gate protection, over-temperature sensing, and collector-emitter short circuit fault indication. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXYN30N170CV1. It is a global semiconductor company specializing in the development and production of power semiconductors for a variety of applications including power supplies, motor controls, and renewable energy systems. They are known for their high-performance, high-quality semiconductor products. -
Application Field
The IXYN30N170CV1 is most commonly used in applications such as power supplies, inverters, and motor control systems. Its high voltage and current rating make it ideal for high-power industrial and automotive applications where reliability and efficiency are essential. Additionally, it can be used in renewable energy systems such as wind turbines and solar inverters. -
Package
The IXYN30N170CV1 chip is available in a TO-247 package type with a module form. It measures 30mm x 46mm in size.
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