Pedidos acima de
$5000IXTP180N10T
Robust and Reliable Device for Harsh Environmen
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXTP180N10T
Ficha de dados: IXTP180N10T Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $4,107 | $4,107 |
200 | $1,590 | $318,000 |
500 | $1,534 | $767,000 |
1000 | $1,506 | $1506,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
IXTP180N10T Descrição geral
When it comes to low voltage and high current applications, the IXTP180N10T Trench Gate Power MOSFET stands out as a top-tier choice. Its exceptionally low RDS(on) ensures minimal power loss, making it an energy-efficient option for various electronic systems. Additionally, the MOSFET's wide operating temperature range allows it to operate effectively in extreme conditions, making it a reliable choice for demanding applications such as automotive electronics
Características
- Overcurrent Protection
- Undervoltage Lockout
- Pulse Response Time
- Error-Free Data Transmission
Aplicativo
- Integrated Power Modules
- Eco-Friendly Energy Solutions
- Smart Motor Control
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.4 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V | Qg - Gate Charge: | 151 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 480 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HiPerFET | Series: | IXTP180N10 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 31 ns |
Forward Transconductance - Min: | 110 S | Height: | 9.15 mm |
Length: | 10.66 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 54 ns | Factory Pack Quantity: | 50 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
Width: | 4.83 mm |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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