Pedidos acima de
$5000IXTN32P60P
Trans MOSFET P-CH 600V 32A 4-Pin SOT-227B
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXTN32P60P
Ficha de dados: IXTN32P60P Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-227B
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.240 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTN32P60P Descrição geral
Polar™ P-Channel MOSFETS are fabricated using our Polar technology platform, which significantly reduces the on-state resistance (RDSon) by 30% and gate charge (Qg) by 40% in comparison to legacy counterparts, resulting in lower conduction loss and providing excellent switching performance. They are dynamic dv/dt and avalanche rated making them extremely rugged in demanding operating environments and can easily be paralleled due to an on-state resistance with positive temperature coefficient.
Características
- Fast intrinsic diode
- Rugged PolarP™ process
- Avalanche rated
- Low package inductance
- Dynamic dv/dt rated
- Advantages:
- Low gate charge results in simple drive requirement
- High power density
- Easy to parallel
- Fast switching
Aplicativo
- High-side switching
- Push pull amplifiers
- DC-DC and DC-AC converters
- Automatic test equipment
- Battery charger applications
- Current regulators
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
Type | Polar Power MOSFET | Technology | Si |
Vr - Reverse Voltage | 100 V | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | IXTN32P60 | Brand | IXYS |
Configuration | Single | Fall Time | 33 ns |
Id - Continuous Drain Current | 32 A | Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 890 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms | Rise Time | 27 ns |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Transistor Polarity | P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 95 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 37 ns | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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